《第1章常用半导体器件2012复习》-公开课件.ppt

电位关系： 三极管工作状态的判断 [例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 原则： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区 [例2]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 解：电流判断法。 　　电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A B C IA IB IC C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。 例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V、　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。　　　　发射结正偏，集电结反偏。 　　　 NPN管　UBE＞0，　 UBC＜0，即UC ＞ UB ＞ UE 。 　　　 PNP管　UBE＜0，　 UBC＜0，即UC ＜ UB ＜ UE 。 解： Vi=5V时，IB=(5-0.7)/10K=0.43mA ICS=10V/5K=2mA ?IB=22mA 三极管饱和，VO=0V; Vi=0V时，三极管截止, VO=10V。 5V 10V t t Vi VO c e 10K 5K 10V b + _ + _ Vi VO 例如：三极管用作可控开关 (?=50) 《模拟电子技术基础》 目录 1 常用半导体器件 2 基本放大电路 3 多级放大电路　　　　 4 集成运算放大电路 5 放大电路的频率响应 6 放大电路中的反馈 7 信号的运算和处理 8 波形的发生和信号的转换 9 功率放大电路 10 直流稳压电源 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件 本章重点和考点： 2.二极管的单向导电性、稳压管的原理。 　3.三极管的电流放大原理， 　　如何判断三极管的管型 、管脚和管材。 1.杂质半导体，PN结基本知识 1. 半导体中两种载流子 带负电的自由电子 带正电的空穴 　　2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，　　　称为 电子 - 空穴对。 　　3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 　　　　　　表示，显然 ni = pi 。 　　4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又　　　不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动　　　会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 　　5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升　　　高，基本按指数规律增加。 小结　 1.1.2　杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P N PN结 图 　PN 结的形成 一、PN 结的形成 1.1.3　PN结 PN 结中载流子的运动 耗尽层 空间电荷区 P N 1. 扩散运动 　　2. 扩散运动形成空间电荷区 　　电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 —— PN 结，耗尽层。 P N 3. 空间电荷区产生内电场 P N 空间电荷区 内电场 Uho 　　空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 　　4. 漂移运动 　　内电场有利于少子运动—漂移。 少子的运动与多子运动方向相反 阻挡层 5. 扩散与漂