6 厚膜工艺 amp; 电阻器的调整.ppt

切割类型 直线切割：速度快，调整对通过电阻的电流引起的扰动最大，并且在微调切口的顶点处形成一过热点。（典型用于一方或小于一方的电阻和帽形电阻的微调） 双线切割（阴影切割）：允许一次粗调后接着在第一次切割的阴影内进行微调；激光损伤小于L形切割；比直线切割引起更大的热点。 L形切割：比直线切割提供更高的精度；角形切割和J形切割比其有更少的热点，更为稳定。 扫描切割：速度最慢；具有最高的精度；提供最稳定的电阻器。 蛇形切割：适用于大范围改变阻值；一般常用于动态调整。 数字切割：可得到最精确和最稳定的电阻器。 §5.4 电阻微调的类型 §5.5 特殊要求 雷电保护功能 为了防范雷击损坏，加到设备上的电压首先降落到一个电阻器两端，大的电压梯度会在窄切口上引起飞弧 解决方案 扫描切割和扩展的J形切割（微调切口的端头完全回到电阻器的外部时的U形切割） 消除了电阻内切口断点和跳越窄刀口上的飞弧 需要长的时间，在电阻器上引入应力 U形切割 最适合 仍有很锐的角可以引入热点，速度很慢 W429系统采用算法微调技术 解决方法 优 点 缺 点 缺 点 第四章 厚膜工艺 4.1 制造工艺 4.2 直接描入 4.3 各种浆料 4.3.5 厚膜电容器 4.4 非贵金属厚膜 4.5 聚合物厚膜 4.1 制造工艺 单步工艺 丝网印刷 干燥 烧结 多层厚膜工艺 逐层印刷烧结 多层共烧陶瓷带 高温共烧陶瓷（HTCC） 低温共烧陶瓷（LTCC） 4.2 直接描入 细线厚膜工艺 第四章 厚膜工艺 4.3 各种浆料 成分 导体浆料 附着力 金属迁移 焊接性能 抗焊能力 电阻浆料 介质浆料 绝缘型 电容型 有玻璃料的 无玻璃料的 混合结合型 ※ 4.3.5 厚膜电容器 电容器结构：上下电极和夹心介质构成，实质上是以平行板电容器。在需要高值电容的地方，可以重复该工艺顺序做成多层结构。 电容器介质浆料：由具有高的介电常数（几千到一万）的铁电材料组成。钛酸盐被广泛地用做电容器介质浆料中的填料。 ※ 4.3.5 厚膜电容器 使用多次的丝网印刷、干燥和烧成步骤制造电容时，必须权衡一下，是自制高容量的厚膜器还是直接购买片电容再组装在电路上更合算。与印烧厚膜电容器比较，片电容具有公差小，对温度变化更稳定，占基片面积小和成本低等优点。 钛酸钡陶瓷的介电常数与温度的函数 典型的介质浆料是由钛酸钡与常用的有机结合剂，溶剂和玻璃料混合而成的。钛酸钡的介电常数在室温时约1600，但在居里温度120℃时突然增加到6000如图所示。改变浆料的微结构和化学组分，能得到不同的居里温度和介电常数。 第四章 厚膜工艺 4.1 制造工艺 4.2 直接描入 4.3 各种浆料 4.3.5 厚膜电容器 4.4 非贵金属厚膜 4.5 聚合物厚膜 为什么用非贵金属厚膜导体？ 成本优势（主要优势）； 更高的电导率（Cu）； 对氧化铝基片改进了附着力（Cu） ； 更好的焊锡湿润性和抗焊锡熔蚀能力（Cu） 。 非贵金属厚膜浆料 铜 镍 铝 铜厚膜导体已广泛应用在制造大面积的陶瓷印刷电路板上，可将很多元件和无引线的载片器件焊接在它的上面。 §4.4 非贵金属厚膜 用无引线载片锡焊到厚铜膜导体焊盘上的大面积陶瓷印刷电路板 ※ 4.4.1 铜厚膜工艺 工艺特点： 铜厚膜浆料在高温烧成必须在惰（氮）性气体中进行。 为了氧化并去掉浆料中的有机结合剂，必须有一定含量的氧气。不同烧结区域氧气浓度不同。 主要流程：用325目丝网印刷浆料，然后在120℃下干燥10min。干燥可以在空气中进行，但为避免氧化，温度不能超过120℃。干燥以后，虽然在850-950℃之间的温度已成功使用，但铜厚膜最好在峰值温度900℃，保温6-10min的条件下烧成。 厚膜铜导体的典型烧成曲线 ※ 4.4.2 铜厚膜导体的性能 铜导体在150℃下储存1000h的电阻率 铜导体在40℃和相对湿度90%下储存1000h的电阻率 多次温循对附着力的作用 在150下老化1000h铜导体的附着力 ※ 4.4.2 铜厚膜导体的性能 铜厚膜浆料的问题 铜是易发生化学反应的。若被氯化物或其他无机盐类沾污，很容易被腐蚀，因此，铜导体要求特殊的清洗、操作或储存在氮气中。若用铜导体的电路没有气密封装，则应当用有机材料对其进行保形涂覆以便保护。 铜也有金属迁移发生，可以采用高纯度的硅酮作为保形涂覆层，提供防止潮气凝聚在有源器件和电路元件上。 铜浆料必须在氮气中烧成，需要采用在氮气中烧成的介质浆料和电阻浆料。 氮气烧成介质的工艺 主要流程：氮气烧成的介质浆料也是通过网孔比印导体更粗的丝网印刷.一般印介质的不锈钢丝网是200目，印导体用丝网是325-400目；介质浆料的干燥烧成时间及及设备与铜浆工艺相同，炉子的烧成温度曲线