一种基于半导体导电性的高温探测消防喷头.pdf

半导体的导电性.ppt 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系第六十三页，共九十页，2022年，8月28日 * 对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下：若（4-63）若（4-64） 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系只掺n型杂质：只掺p型杂质：第六十四页，共九十页，2022年，8月28日 * 4.2.2 载流子的散射中性杂质散射：在温度很低时，未电离的杂质(中性杂质)的数目比电离杂质的数目大得多，这种中性杂质也对周期性势场有一定的微扰作用而引起散射．但它只在重掺杂半导体中，当温度很低，晶格振动散射和电离杂质散射都很微弱的情况下，才起主要的散射作用．位错散射：位错线上的不饱和键具有受主中心作用，俘获电

2022-11-06 约7.95千字 90页立即下载

半导体的导电性.ppt *4.4.1电阻率表示式混合型半导体：本征半导体：n型半导体：p型半导体：由知，电导率是杂质浓度和温度的函数。可得不同类型半导体的电阻率表示式：由关系式4.4.2电阻率和杂质浓度的关系*对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下：若（4-63）若（4-64）4.4.2电阻率和杂质浓度的关系只掺n型杂质：只掺p型杂质：*A例题：求室温下本征硅的电阻率。若在本征硅中掺入百万分之一的硼，电阻率是本征硅多少倍？B解：C室温本征硅的载流子浓度、电子和空穴的迁移率分别为：D因此电阻率为：E4.4.2电阻率和杂质浓度的关系*4.2.2载流子的散射当长声学波和长光学波两种散射作用同时存在时，晶格振动对载流子的总

2025-02-05 约6.84千字 10页立即下载

半导体的导电性能.pptx 2.1.4半导体材料导电特性一半导体中的载流子二本征半导体 三非本征半导体 四半导体中载流子的运动五半导体的电学性质 h 价带导带 Eg 自由电子空穴 半导体中电子和空穴总是成对出现的一半导体中的载流子空穴下面能级上的电子可以跃迁到空穴上来,这相当于空穴向下跃迁。满带上带正电的空穴向下跃迁也是形成电流, 这称为空穴导电。导带价带 Eg 在外电场作用下导带的自由电子在电场力的作用下会产生定向运动，形成电流，这称为电子导电。 半导体的导电导带的电子导电和价带的空穴导电共同作用的结果载流子：电荷的定向移动形成电流，电荷的自由粒子称为载流子。自由电子—带负电 半导体中有两种

2025-05-17 约5.09千字 10页立即下载

半导体的导电性讲述.ppt 4.1.1 复习欧姆定律：主要散射机构：电离杂质散射晶格振动的散射等同的能谷间散射中性杂质散射位错散射载流子之间的散射室温下，本征硅的?约为2.3×105Ω·cm，本征锗（禁宽小）?约为47Ω·cm。电阻率决定于载流子浓度和迁移率，与杂质浓度和温度有关。 4.4.1 电阻率和杂质浓度的关系图4-15是锗、硅和砷化镓（温度定）300K时?随杂质变化的曲线（非补偿或轻补偿）。 ? A：轻掺（杂质浓度1016～1018cm-3），迁移率随杂质浓度的变化较小杂质浓度增高时，非线性曲线。原因：一是杂质在室温下不能全部电离，重掺杂的简并半

2017-03-24 约6.3千字 74页立即下载

第4章. 半导体物理 半导体的导电性.ppt 练习 P141－2；作业 P141- 3; P141- 7; P142- 10; P142- 13; 迁移率和杂质与温度关系: 迁移率和杂质浓度的关系: 决定于载流子浓度和迁移率 1.电阻率与杂质浓度的关系 n型： p型：本征： 4.4 电阻率随杂质浓度及温度的变化与杂质浓度和T有关（1)轻掺杂时（1016~1018cm-3） n＝ND p＝NA 迁移率为常数反比 (2)杂质浓度增加时，曲线严重偏离直线不能全部电离迁移率显著下降对比生产上有何应用价值？硅、锗、砷化镓300K时电阻率与杂质浓度关系特征如何 2.电阻率随温度的变化本征半导体：ni随温度

2015-09-11 约4.84千字 50页立即下载

第四章半导体的导电性ppt.ppt 第四章半导体的导电性 §4.1载流子的漂移运动迁移率本节主要内容：欧姆定律的微分表达式二. 漂移速度和迁移率三.半导体的电导率和迁移率练习 T=300K时，砷化镓的掺杂浓度为NA=0，ND=1016cm-3，设杂质全部电离，电子的移迁率为7000cm2/V.s, 空穴的迁移率为320cm2/V.s，若外加电场强度ξ=10V/cm,求漂移电流密度练习课本习题4 一、载流子散射的概念: 二、半导体的主要散射机构三、其它因素引起的散射一.平均自由时间?和散射概率Ｐ的关系二.电导率、迁移率与平均自由时间的关系三. 迁移率与杂质和温度的关系 §4.３

2016-06-27 约4.17千字 42页立即下载

【2017年整理】半导体的导电性.ppt 一般，长声学波散射前后电子的能量基本不变，为弹性散射。光学波散射前后电子的能量变化较大，为非弹性散射。（A）声学波散射：在长声学波中，纵波对散射起主要作用（通过体变产生附加势场）。对于单一极值，球形等能面的半导体，理论推导得到其中u纵弹性波波速。由上式可知此式对于其它能带结构的半导体也适用（B）光学波散射：正负离子的振动位移会产生附加势场，因此化合物半导体中光学波散射较强。例如：GaAs 对于元素半导体，只是在高温条件下才考虑光学波散射的作用。例如：Ge、Si 离子晶体中光学波对载流子的散射几率用N(t)表示t时刻未遭到散射的电子数，则在

2017-06-10 约6.72千字 35页立即下载

固体与半导体物理半导体的导电性.ppt 讨论：（1）间接复合率大于直接复合率非子的直接复合率 n型（2）热平衡 A:非子的复合率热平衡时，无非子 B:载流子的净复合率热平衡时，产生率＝复合率非子的间接复合率（3）存在净复合非子的复合过程（4）存在净产生非子的产生过程从非平衡态向平衡态过渡过程 3.非子的寿命（1）最有效的复合中心位于禁带中线附近的深能级（2）小注入 A:强n型区第五章 半导体的导电性 载流子的散射、漂移迁移率、电导率的公式 {5.1 载流子的散射一.散射机理周期势场遭到破坏 1.原子的热振动 2.杂质原子和缺陷的存在二.平均自由时间和散射几率

2017-03-04 约2.55千字 46页立即下载

半导体物理基础第4章 半导体的导电性 (Electrical Conductivity).ppt 第4章 半导体的导电性 (Electrical Conductivity) 2 Mobility（迁移率）例题 4.5 Hight-Field Effects (强电场效应) 3 Gunn effect (耿氏效应) * 4.1.载流子的漂移（drift）运动 半导体中的载流子在外场的作用下，作定向运动---漂移运动。相应的运动速度---漂移速度。漂移运动引起的电流---漂移电流。 1、 drift (漂移) 定性分析：迁移率的大小反映了载流子迁移的难易程度。可以证明： ------迁移率单位电场下，载流子的平均漂移速度 3 影响迁移率的因素不同材料，载流

2018-01-26 约2.08千字 36页立即下载

半导体半导体简介顾名思义导电性能介于导体conductor与绝缘体.doc 半导体 半导体简介　　顾名思义：导电性能介于(conductor)与(insulator)之间的材料，叫做半导体(semiconductor)． ? 　　物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。 ? 半导体定义　　电阻率介于和绝缘体之间并有负的电

2018-04-09 约4.9千字 8页立即下载

半导体一学习目标知道身边形形色色的材料中按导电性.doc §19—2 半导体 一学习目标： 1．知道身边形形色色的材料中按导电性不同可分为：导体、半导体、绝缘体三大类。 2．初步了解半导体的一些特点。 3．了解半导体材料的发展对社会的响。二教材分析本节是本章的重点内容，对教材中所涉及的内容要有初步的感性认识。 1．通过实验、探究物质的导电性，讨论是否任何物质都具有导电性。 2．除金、银、铜、铁等金属是导体外还要知道液体如酸碱盐的水溶液、大地、人体等也是导体。 3．要知道导体和绝缘体没有绝对人界限，在某种条件下，它们之间可以相互转化。 4．探讨导体易导电的原因和绝缘体不易导电的原因。 5．对待材料考虑要全面些，例如除常见的固体外，还要准

2019-09-29 约2.03千字 4页立即下载

A伏安特性与一般半导体二极管相同具有单向导电性B阈.ppt Optical Fiber Communication * 1-* Copyright Wang Yan * A.伏安特性与一般半导体二极管相同，具有单向导电性。B.阈值特性阈值电流密度阈值与温度有关第四节 半导体激光器的工作特性 C.输出功率及P-I曲线 It:threshold current D.转换效率 E.光谱特性 F.方向特性垂直发散角平行发射角：200－300 ：几度－几十度与其他相比较差 G.时间响应特性时间响应是指半导体laser跟随注入电流而变化的快

2017-02-18 约小于1千字 6页立即下载

半导体物理学刘恩科第七版第4章导电性课件.ppt 第4章 半导体的导电性 4.1 载流子的漂移运动外电场E?载流子受力?加速?获得平均速度V?形成电流。 §4.2 载流子的散射实际半导体中的载流子在外电场作用下，速度不会无限增大，根本原因: 受散射（碰撞）的缘故。载流子本身在晶格中作无规则热运动，格点原子在格点附近作热振动，半导体中还有杂质原子。 1. 电离杂质的散射散射几率： Pi＝A×NiT-3/2 特点：动量变化大，能量变化大。动量变化小，能量变化小。动量变化大，能量变化小。(类似于完全弹性碰撞) 格波与电子互作用定律 hq称为声子的准动量，h?a称为声子的能量。电子和晶格散射时

2017-05-25 约6.06千字 53页立即下载

第四章_半导的导电性.ppt * 对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下：若（4-63）若（4-64） 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系只掺n型杂质：只掺p型杂质： * 例题：求室温下本征硅的电阻率。若在本征硅中掺入百万分之一的硼，电阻率是本征硅多少倍？解：室温本征硅的载流子浓度、电子和空穴的迁移率分别为：因此电阻率为： 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 掺入硼后，成为P型半导体。由于室温下杂质全部电离，因此载流子浓度为：查阅室温下硅的杂质浓度与迁移率的关系曲线（图4-13）知，此时空穴的迁移率为：所以P型硅的电阻率为： 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 4.4.2 电阻率和杂质浓度的

2019-05-08 约8.9千字 90页立即下载

专题选读7超导电性和高温超导体.pdf 专题选读7：超导电性和高温超导体超导电性和高温超导体一、超导电性 1911年，荷兰科学家 Heike Kamerlingh 汞超导转变 Onnes 发现：汞的电阻在温度降低时，先是缓慢地减小，但在T = c 4.2K附近电阻突然降为零—称这种零电阻现象为物质的超导电性。具有超导电性的材料称之

2017-05-30 约8.58千字 39页立即下载