igbt模块装配工艺和电子器件.pdf

微电子器件工艺学.ppt 在1960年，Intel公司的创始人之一GordonE.Moore曾预言，集成电路的功能随时间呈指数增长规律011975年摩尔提出了关于集成电路集成度发展的“摩尔定律”，这个定律说，集成度(即电路芯片的电子器件数)每18个月翻一番，而价格保持不变甚至下降。近三十年的发展规律较精确地证实了这个定律。由此可见这一领域竞争激烈的程度。（5年翻10倍）02摩尔定律1997年到2014年的工艺技术变化硅技术的发展规划年199719992003200620092012最小特征尺寸250nm180nm130nm100nm70nm50nmDRAM比特/芯片256M1G4G16G64G256GDRAM芯片尺寸（

2025-01-17 约7.08千字 10页立即下载

光电子器件工艺概要.ppt 2.1.1晶圆制备（3）硅片制备硅片制备工艺流程（从晶棒到空白硅片）：晶体准备（直径滚磨、晶体定向、导电类型检查和电阻率检查）→ 切片→ 研磨→ 化学机械抛光（CMP）→ 背处理→ 双面抛光→ 边缘倒角→ 抛光→检验 →氧化或外延工艺→打包封装晶体生长整形切片磨片倒角刻蚀抛光清洗检查包装硅片制备图 4.19 硅片制备的基本工艺步骤整型两端去除径向研磨定位面研磨 P-type (111) P-type (100) N-type (111) N-type (100) 图 4.21 硅片标识定位边硅片上的成品率成品率 = 66 good die 88 to

2017-02-05 约4.74千字 54页立即下载

微电子器件工艺实例.ppt N阱CMOS工艺 P阱CMOS工艺 BiCMOS工艺 5微米双极集成电路工艺大功率管工艺流程 3. BiCMOS工艺 4. 5微米双极集成电路工艺 * 1. N阱CMOS工艺初始氧化：通过氧化，生长一层SiO2膜，用作杂质扩散掩蔽膜膜厚350nm 用第一块掩膜版，经曝光、等离子刻蚀，形成N阱窗口在N2:O2=9:1的气氛中退火和驱进。温度1150℃，时间60分钟。N阱深度为5~6微米。同时生长一层约200nm的氧化层。首先生长缓冲SiO2薄层，厚度600nm，目的是减少淀积的氮化硅与硅衬底之间的应力。其次低压CVD氮化硅，用于掩蔽氧化，厚度100nm 确定NMOS有源区：利用

2017-07-05 约1.15千字 91页立即下载

IGBT在电力电子器件中的地位及应用_电力电子器件及其应用.doc DAO KE ER WANG LUO KE JI YOU XIAN GONG SI为美好的明天加油 DAO KE ER WANG LUO KE JI YOU XIAN GONG SI 为美好的明天加油少年强，则国强第 PAGE 1 少年强，则国强第 PAGE 1 页共 NUMPAGES 1 页 IGBT在电力电子器件中的地位及应用_电力电子器件及其应用　　　　摘要:本文介绍了IGBT在电力电子技术领域的地位和作用,分析了国内IGBT的发展现状,预测了IGB

2021-01-05 约2.47千字 3页立即下载

电力电子器件—绝缘栅双极晶体管（IGBT）.pptx 绝缘栅双极晶体管IGBT概念特性结构安全工作区图2-23IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号RN为晶体管基区内的调制电阻。结构IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E，具有很强的通流能力。IGBT的结构工作原理IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场控器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。IGBT模块 工作原理导通当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。工作原理关断当栅极G与发射极E间施加反向电压或不加信号时，MOSF

2025-03-25 约1.19千字 11页立即下载

电子器件的自动化装配与测试.docx 电子器件的自动化装配与测试考生姓名：答题日期：得分：判卷人：第一部分单选题（本题共15小题，每小题2分，共30分．在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的） 1.下列哪种技术不属于自动化装配的范畴？（） A.机器人装配 B.光学检测 C.手动装配 D.计算机视觉 2.在电子器件自动化装配中，以下哪项不是机器视觉系统的主要功能？（） A.识别 B.定位 C.检测 D.维修 3.自动装配中常用的传感器不包括以下哪一种？（） A.光电传感器 B.压力传感器 C.红外传感器 D.声波传感器 4.SMT（表面贴装技术）中，下列哪种元件不易实现自动化装配？（） A.贴片电阻 B.贴片电容 C

2024-08-03 约3.1千字 6页立即下载

电子器件的自动化装配与测试考核试卷.docx 电子器件的自动化装配与测试考核试卷考生姓名：答题日期：得分：判卷人：本次考核旨在评估考生对电子器件自动化装配与测试相关知识的掌握程度，包括装配流程、测试方法、故障诊断及解决策略等方面。通过本试卷，检验考生在实际操作中的应用能力和理论知识的综合运用。一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的） 1.下列哪个不是电子器件自动化装配过程中的基本步骤？（） A.检测 B.组装 C.装配 D.包装 2.自动化装配设备中，用于实现元件放置的机构称为：（） A.传送

2025-04-24 约6.96千字 10页立即下载

《控制系统数字仿真与CAD第3版》张晓华习题解答第2章-电力电子器件建模-IGBT（参考）.doc 第七节电力电子建模问题的提出上一节“电力电子系统建模”中所涉及到的电力电子器件都是理想开关模型（“0”、“1”状态），如表1。然而，当我们在研究的时候，我们就必须对电力电子器件建立更精确的模型。这里的电力电子器件模型将不再是状态空间表达式或者传递函数的形式，这是因为简单形式的状态空间表达式或者传递函数已经无法精确表达出器件的动、静态过程。：器件模型换向过程（微观时间尺度上）、元器件张力、功率消耗、设计器件缓冲电路等情况。表1 理想开关与实际功率开关对比理想开关实际功率开关器件反向耐压 VVBR 漏电流 0 Ir0 通态压降导致开关损耗 0 P＝Von*Ion 开关时间 0

2017-01-09 约1.46万字 17页立即下载

微电子器件(4-9).ppt * 4.9 MOSFET 的结构及发展方向 MOSFET 的发展方向主要是沟道长度的不断缩短，目前已经缩短到小于 0.1 ?m 。这种发展趋势可以用摩尔定律来描述： MOS 集成电路的集成度每 18 个月翻一番，最小线宽每 6 年下降一半。目前预测的最小极限尺寸是 25 nm，尽管这种对极限尺寸的预测也在不断下调。 MOSFET 的发展过程，就是在不断缩短沟道长度的同时，尽量设法消除或削弱短沟道效应的过程。 4.9.1 按比例缩小的 MOSFET 1、恒场按比例缩小法则为了消除或削弱短沟道效应，除了采用一些

2017-10-22 约1.55千字 12页立即下载

微电子器件(5-6).ppt * 5.6 MOSFET 的小信号参数、高频等效电路及频率特性 5.6.1 MOSFET 的小信号交流参数 1、跨导 gm 跨导是转移特性曲线的斜率，它反映了栅电压 VGS 对漏电流 ID 的控制能力，即反映了 MOSFET 的增益的大小。非饱和区饱和区 gm 一般为几 ~ 几十毫西门子。为了提高 gm ，从器件制造角度，应提高β，即增大，提高迁移率 ? ，减小 TOX 。从电路使用角度，应提高 VGS 。以 VGS 作为参变量的

2017-10-19 约2.01千字 25页立即下载

微电子器件(2-4).ppt * * 2.4 PN 结的击穿雪崩倍增隧道效应热击穿击穿现象击穿机理：电击穿 2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子反向电压可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离。碰撞电离主要发生在反偏 PN 结的耗尽区中。电子（或空穴）在两次碰撞之间从电场获得的能量为 1、碰撞电离率定义：一个自由电子（或空穴）在单位距

2015-09-10 约2.27千字 27页立即下载

纳米电子器件..doc 纳米电子器件 学号：M201472157 姓名：张路指导老师：范桂芬课程：微纳尺度制造工程摘要：介绍了纳米电子器件与纳米电子技术的概念以及纳米电子器件的分类；综述了现有的光刻、外延、SPM、特种精细加工等相关的纳米电子器件制备与加工技术：阐述了纳米电子技术中急需解决的若干关键问题。关键词：纳米电子器件；纳米电子技术；纳米器件加工 Abstract: The concept and classification of nano-electronic component and nano-electonic technology are introduced,

2017-01-27 约8.16千字 8页立即下载

《电力电子器件h》.pdf 功率半导体器件浙江大学电气工程学院 -电力电子技术- 浙江大学电气工程学院　功率半导体器件的分类: 1、按可控性分类（1）不控型器件（2）半控型器件（3）全控型器件 2、按驱动信号类型分类（1）电流驱动型

2016-01-27 约字 24页立即下载

微波电子器件3.ppt 第3章微波二极管 §3.1 肖特基势垒二极管一、金属-半导体接触二、金属半导体接触特性三、肖特基势垒二极管四、肖特基二极管的应用 §3.2 变容二极管一、变容管的结构三、变容二极管的应用 §3.3 p-i-n二极管一、p-i-n二极管的结构三、p-i-n二极管的应用 §3.4 阶跃恢复二极管一、阶跃管的结构三、阶跃二极管的倍频原理 §3.5 雪崩渡越时间二极管一、雪崩二极管的结构 §3.6 体效应二极管一、耿氏二极管的结构（2）结构参数浓度浓度浓度厚度厚度厚度 4 0.5~4 10

2018-05-11 约2.57万字 246页立即下载

微电子器件(4-3)解读.ppt * 4.3 MOSFET 的直流电流电压方程以 N 沟道 MOSFET 为例，推导 MOSFET 的 ID ~ VD 方程。 ID VD 推导时采用如下假设 ① 沟道电流只由漂移电流构成，忽略扩散电流； ② 采用缓变沟道近似，即这表示沟道厚度沿 y 方向的变化很小，沟道电子电荷全部由感应出来而与无关；附：泊松方程 VD 4.3.1 非饱和区直流电流电压方程 ③ 沟道内的载流子（电子）迁移率为常数； ④ 采用强反型近似，即认为当表面少子浓

2017-01-23 约1.97千字 25页立即下载