【2017年整理】半导体器件原理六.ppt

6.2.1 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 分析栅极和漏极同时加电压的情况： 由于漏端电压的作用，沟道中不同位置的电压不同，所以耗尽层的宽度随沟道中的位置而不同。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 N沟pn JFET器件的基本几何结构图 栅极和漏极同时加上电压：耗尽层的宽度随在沟道中的位置不同而不同 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 理论计算得到的ID-VD曲线 实验测得的ID-VD曲线 理想饱和漏电流与漏极电压无关 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 6.2.3 跨导 跨导是场效应晶体管的一个重要参数，它表示栅极电压对漏极电流的控制能力。 跨导定义为漏源电压VDS一定时，漏极电流的微分增量与栅极电压的微分增量之比。 非饱和区 饱和区 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 6.2.4 MESFET MESFET除了pn结被肖特基势垒整流接触结代替外，其他均与pn JFET相同。 MESFET通常用GaAs制造。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 增强型JFET实验和理论的平方根与VGS的理想关系曲线 理想曲线和电压轴相交的一点值是阈值电压。 理想下的I-V关系是在假定pn结耗尽层突变近似的情况下推导出来的。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. JFET和MOSFET的主要共同点和差异 JFET与MOSFET都是场效应晶体管，它们的主要共同点在于： （1）是多数载流子工作的器件，则不存在因为少数载流子所引起的一些问题（如温度稳定性较好）。 （2）输入阻抗都很高，并且都是电压驱动的器件，则工作时不需要输入电流，而且输入回路较为简单。 （3）转移特性都是抛物线关系，则不存在3次交扰调制噪声。? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. JFET与MOSFET由于器件结构不同，特性存在差异： （1）MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。 （2）MOSFET对于静电放电（ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。 （3）JFET一般是耗尽型的器件，而MOSFET可以有增强型器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。 （4）JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-20