【2017年整理】一常用半导体器件.doc

第一章 常用半导体器件 第一节 半导体的基本知识 一、填空题： 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 、 、和 三类。 2、常用的半导体材料是 和 ，它们都是 价元素。 3、半导体中导电的不仅有 ，而且还有 ，这是半导体区别于导体导电的重要特征。 4、掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度与 有很大的关系。 5、半导体按导电类型分为 型半导体和 型半导体。 6、P型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是 ；N型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是 。 7、PN结又叫 层， 层，也叫 区。 8、PN结正偏时，P区接电源的 极，N区接电源的 极；PN结反偏时，P区接电源的 极，N区接电源的 极。 9、PN结具有 性能，即加正向电压时PN结 ，加反向电压时的PN结间 。 二、判断题（正确的在括号内打“√”，错误的打“×” ） （ ）1、只有单晶硅或锗才能制作半导体器件。 （ ）2、在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。 （ ）3、在硅或锗晶体中掺入三价元素形成N型半导体。 （ ）4、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。 （ ）5、PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。 （ ）6、PN结反向偏置时，反向电流随反向电压增大而增大。 三、选择题（将正确答案的序号填入括号中） 1、半导体中传导电流的载流子是（ ） A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 2、P型半导体是（ ） A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 3、PN结形成以后，它的最大特点是具有（ ） A、导电性 B、绝缘性 C、单向导电性 四、问答题 试述PN结的特性。 第二节 二 极 管 一、填空题 1、二极管实质就是一个 ，P区的引出端叫 极或 极，N区的引出端叫 极或 极。 2、按二极管制造工艺的不同，二极管可分为 型、 型和 型三种。 3、按晶体二极管所用的材料可分为 管和 管两类。 4、2CW是 材料的 二极管，2AK是 材料的 二极管。2CZ是 材料的 二极管，2AP是 　 材料的 二极管。 5、二极管的正向接法是 接电源的正极， 接电源的负极，反向接法相反。 6、二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极管的死区电压约 V。 7、硅二极管导通时的正向压降约 V，锗二极管导通时的正向压降约 V。 8、使用二极管时，应考虑的主要参数是 ， ， 。 9、电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会 ；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管会 。 10、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已 ；有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大，表明二极管已 。 11、在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常 于锗二极管的反饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较 。 二、判断题（正确的在括号中打“√”，错误的打“×” ） （ ）1、晶体二极管是线性元件。 （ ）2、在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。 （ ）3、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。 （ ）4、无论是哪种类型的晶体二极管，其正向电压都为0.3V左右。 （ ）5、晶体二极管具有单向导电性。 （ ）6、晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。 （ ）7、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。 （ ）8、晶体二极管加正向电压时一定导通。 （ ）9、晶体二极管加反向电压时一定截止。 （ ）10、在图1-1中，晶体二极管V若为硅管则能导通，为锗管则不通。 三、选择题（将正确答案的序号填入括号中） 1、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，干电池的负极直接接到硅二极管的负极，则该管（