电子复习题要点.doc
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一、基本概念题
1.硅半导体中掺入少量磷元素后就成为( )杂质半导体,其多子是( )。
N型,空穴; B、P型,空穴;
C、 N型,自由电子; D、P型,自由电子;
2.普通二极管具有( )特性。
3.稳压管必须工作在( )区才起稳压作用。
4.三极管的三个极限参数为( ),实际应用时必须重视它们。
A. 、、; B. 、、;
C. 、、;
5.温度升高,三极管的值将( ),值将( )。
6.要使NPN管工作在饱和状态,管子三个极的电位之间的关系必须满足( )。
A、;B、; C、;
7.在三极管基本放大电路中,产生截止失真的主要原因是( ),可采用( )措施来消除。
8.集成运放的输入级一般采用差动放大电路,主要是为了( )。
9.集成运放构成运算电路时必须引入( ),而构成电压比较器时,集成运放必须开环使用。
10.硅整流直流电源由变压、( )、滤波和( )四部分组成,
11.集成三端稳压器78系列和79系列的( )不能接在一起,否则会损坏器件。
12.数字电路包括( )和时序逻辑电路,两者的区别在于时序逻辑电路具有( )功能。
13.TTL与门多余的输入端最好应( )。
A、接地; B、经一电阻接地; C、接 ; D、经一电阻接;
14.可用作电子开关的门是( )。
A、OC门; B、传输门; C、三态门
15.由555定时器构成的无稳态触发器也称为( ),可用来产生CP信号。
16.关于二极管的正向电阻与反向电阻的论述,正确的是 。
A.正向电阻比反向电阻大;
B.正向电阻比反向电阻小;
C.正向电阻与反向电阻相等。
17.在三极管放大电路中,温度升高使三极管的参数发生变化,正确的是 。
A.UBE增加,(减小,ICBO增加;
B.UBE增加,(增加,ICBO减小;
C.UBE减小,(增加,ICBO增加。
18.关于阻容耦合多级放大器,下列结论正确的是 。
A.对于低频信号电压放大倍数增加;对于高频信号电压放大倍数下降;
B.对于低频信号电压放大倍数下降;对于高频信号电压放大倍数下降;
C.对于低频信号电压放大倍数下降;对于高频信号电压放大倍数增加。
19.正弦波振荡器中,电压放大器的放大倍数为Au,反馈系数为F,起振时它们的关系应满足 。
A. | A u ·F |1 ; B. |A u ·F | 1; C.|A u· F | = 1。
20.三极管组成的功率放大电路中,交越失真实际上是 造成的。
A.饱和失真; B.截止失真; C.频率失真。
21.关于555集成定时器应用,下列说法正确的是 。
A.既可作双稳态触发器使用,又可作单稳态触发器使用;
B.不可作双稳态触发器使用,可作单稳态触发器使用;
C.不可作施密特触发器使用,可作单稳态触发器使用。
22. 要设计一个像射极跟随器那样的放大电路,即输入电阻大,带负载能力强,电压放大倍数基本稳定在1,则应引入 。
A.并联电压负反馈; B.串联电压正反馈; C.串联电压负反馈。
23..已知整流变压器次级绕组电压U2=10V,测得单相桥式整流、电容滤波电路输出电压Uo=4.5V,则可能故障是 断开。
A.某只二极管和滤波电容;
B.某只二极管和负载电阻;
C.滤波电容和负载电阻。
24.集成运算放大器输入级采用差动放大器的原因是: 。
A.有两个输入信号;
B.内部阻容耦合,有零点漂移;
C.内部直接耦合。
25. 能实现“线与”功能的是 。
A. 三态门 B. OC门 C. 传输门。
26.半导体材料的导电能力( )。
A.只与半导体材料有关。 B.只与环境温度有关。 C.与半导体材料、环境温度有关。
27. 右图示电路中,二极管为硅管, 则电路正常时 ( )。
A.4.3V; B.2.3V; C.0V;
28. 下述关于稳压管的说法中,( )是正确的。
A稳压管具有单向导电特性。
B稳压管的反向击穿特性与普通二极管的完全一致。
C稳压管的正向特性与普通二极管的正向特性基本一致。
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