一种化合物半导体晶圆的加工工艺.pdf

一种基于硅基载板的化合物半导体晶圆正面加工方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013063 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110204734.1 (22)申请日 2021.02.23 (71)申请人绍兴同芯成集成电路有限公司

2023-06-09 约7.68千字 8页立即下载

一种基于硅基载板的化合物半导体晶圆制造工艺.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013064 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110212840.4 (22)申请日 2021.02.23 (71)申请人绍兴同芯成集成电路有限公司

2023-06-06 约6.95千字 8页立即下载

用于晶圆接合的方法和化合物半导体晶圆.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792631 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202210089630.5 (22)申请日 2022.01.25 (30)优先权数据

2023-05-13 约1.66万字 17页立即下载

族化合物半导体.ppt 反应器缓慢通过加热器，在均匀的固态物料上形成一个熔区，上面的固液界面，温度高，固相（浓度C0）溶入溶剂区，温度较低的固液下界面即生长界面，材料以同一浓度C0结晶。是一种近平衡的生长过程，结晶生长在恒温下进行，生长温度低于材料生长的最高固相线温度，具有低温生长的优点。第37页,共44页，星期六，2024年，5月2.MBE和MOVPE法优点：（1）更适合在“原位”生长异质结和PN结；（2）实现了在面积大、质量好、实用性强的衬底上生长；（3）可进行薄层、超薄层和原子层的外延；（4）对实际生长过程进行监测；（5）批量生产.第38页,共44页，星期六，2024年，5月MBE法:在直径Ф=5cm的GaAs

2025-02-04 约8.62千字 44页立即下载

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体.ppt GaN应用前景对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是目前器件水平已可实用化。　1994年日本日亚化学所制成1200mcd的LED，1995又制成2cd蓝光(450nmLED)，绿光12cd(520nmLED证明这一材料研制工作取得相当成功，进入实用化阶段。　　InGaN系合金的生成，InGaNAlGaN双异质结LED，InGaN单量子阱LED，InGaN多量子阱LD等相继开发成功。InGaN　SQW　LED6cd高亮度纯绿色、2cd高亮度蓝色LED已制作出来，今后，与AlInGaP、AlGaAs系红色LED组合形成高亮度全色显示就可实现。这样三原色混

2019-05-03 约1.63万字 74页立即下载

第6章化合物半导体.ppt 　　Ⅲ一V族化合物半导体的离子键成分与其组成的Ⅲ族和V族原子的电负性之差有关。两者差越大，离子键成分就越大，而共价键成分就越小。　　例如，GaP的Ga原子的电负性是1.6，P原子电负性是2.1，它们相差0.5。由课本的化合物原子电负性差与离子键的成分关系图（图6—2）可查出相对应的离子键成分为7.5％，也就是说GaP中共价键成分可能是92.5％。　　但GaP为闪锌矿型，最靠近Ga原子的P原子共有四个，而Ga原子的价电子只有3个，所以Ga原子只能和3个P原子形成共价键，因此从整个晶体来考虑，共价键成分应等于92.5×3／4=71％，所以离子键成分占29％。　　纤维锌矿结构为：六方晶系、六角

2016-08-04 约7.7千字 47页立即下载

加工半导体晶圆的方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820696 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 20201

2023-06-03 约1.48万字 22页立即下载

半导体晶圆工艺流程.pptx 半导体晶圆工艺流程演讲人：日期: 01晶圆设计基础 02晶圆材料制备目录03光刻工艺阶段 CONTENTS04刻蚀与离子注入 05薄膜沉积工艺 06测试与封装流程 01 晶圆设计基础集成电路结构设计逻辑电路设计布局布线包括逻辑门、触发器、寄存器、根据逻辑电路设计，将元器件、加法器等基本逻辑单元的设计。信号线等布置在晶圆上，并进行连线。物理验证可制造性设计检查布局布线后的物理参数，如考虑生产工艺的限制和要求，优电阻、电容、电感等，确保满足化电路设计，提高成品率。电路性能要求。光罩版图制作规范图形精度层次分明确保掩膜上的图形与实际不同层次的图形要分明，晶圆上的图形一

2025-05-17 约9.56千字 27页立即下载

一种半导体晶圆减薄持取装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号CN220341203U (45)授权公告日2024.01.12 (21)申请号202321643621.2 (22)申请日2023.06.27 (73)专利权人无锡市芯通电子科技有限公司地址

2024-01-10 约9.1千字 9页立即下载

一种半导体晶圆的贴膜设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820669 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110079702.3 (22)申请日 2021.01.21 (71)申请人黄嘉华地址 362

2023-06-05 约9.89千字 14页立即下载

一种半导体晶圆快速贴膜台.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213026053 U (45)授权公告日 2021.04.20 (21)申请号 202021417188.7 (22)申请日 2020.07.17 (73)专利权人泰州芯格电子科技有限公司

2023-02-24 约7.74千字 7页立即下载

年化合物半导体分析报告.docx 研究报告 1- 1- 年化合物半导体分析报告一、年化合物半导体概述 1.年化合物半导体的定义与分类年化合物半导体是由两种或两种以上不同元素的原子按照一定的比例组成的化合物，它们在特定条件下展现出半导体特性。这些半导体材料通常由周期表中位于金属和非金属交界区域的元素组成，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。这些材料的能带结构可以通过元素比例的调整进行优化，以适应不同的电子应用需求。根据组成元素的不同，年化合物半导体可以分为两大类：一类是II-V族化合物半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，这类化合物具有高电子迁移率和宽能带间隙，适用于高速光电子器件和高频应用；另一类是II

2025-02-18 约1.23万字 23页立即下载

L10-化合物半导体材料.ppt §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 3、ZnO有较高的激子复合能为60meV，理论上有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出性能较好的探测器、LED和LD等光电子器件。 4、ZnO有很好的成膜特性，能在较低的温度（200℃-650℃）下制备出有较好晶体质量的ZnO薄膜。 5、ZnO薄膜的原料丰富、成本低、无毒、对环境无污染，是环保型材料。 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 1) 未掺杂ZnO的导电机制—n型导电未掺杂氧化锌薄膜中存在的缺陷主要是点缺陷，即氧缺位或金属锌原子过剩，

2016-12-17 约7.19千字 50页立即下载

化合物半导体讲义解析.doc 化合物半导体讲义上海大学材料学院 2012/11/20 目录第一章绪论 4 1.1半导体材料的发展历史 4 1.1.1什么是半导体材料? 4 1.1.2半导体材料的早期应用 4 1.1.3硅单晶及其外延 5 1.1.4硅微电子技术 6 1.1.5GaAs和InP单晶材料 6 1.1.6宽带隙半导体材料 6 1.1.7低维半导体材料 7 1.2信息技术对半导体材料的要求 7 1.3化合物半导体材料的应用 8 1.4半导体材料的分类 8 1.4.1元素半导体 9 1.4.2化合物半导体 10 1.4.3半导体固溶体 11 1

2017-01-20 约9.52万字 119页立即下载

化合物半导体讲义全解.doc 化合物半导体讲义上海大学材料学院 2012/11/20 目录第一章绪论 4 1.1半导体材料的发展历史 4 1.1.1什么是半导体材料? 4 1.1.2半导体材料的早期应用 4 1.1.3硅单晶及其外延 5 1.1.4硅微电子技术 6 1.1.5GaAs和InP单晶材料 6 1.1.6宽带隙半导体材料 6 1.1.7低维半导体材料 7 1.2信息技术对半导体材料的要求 7 1.3化合物半导体材料的应用 8 1.4半导体材料的分类 8 1.4.1元素半导体 9 1.4.2化合物半导体 10 1.4.3半导体固溶体 11 1

2017-01-27 约9.52万字 119页立即下载