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用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566465 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210185905.5 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址

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