文档详情

一种铁磁二维材料Fe3GeTe2的CVD制备方法.pdf

发布：2023-06-07约1.11万字共8页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112921297 B (45)授权公告日 2022.03.15 (21)申请号 202110066974.X C23C 16/52 (2006.01) (22)申请日

显示全部

相似文档

一种用于制备二维材料的方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113337807 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110517464.X (22)申请日 2021.05.12 (71)申请人中国科学院物理研究所
2023-06-20 约1.02万字 10页立即下载
基于CVD的二维材料VFET制备及其电学性能研究.docx 基于CVD的二维材料VFET制备及其电学性能研究一、引言随着纳米科技的飞速发展，二维材料因其独特的物理和化学性质，在半导体器件的制备与应用中扮演着越来越重要的角色。CVD（化学气相沉积）技术作为制备高质量二维材料的有效手段，为二维材料在微电子领域的应用提供了可能。本文将重点研究基于CVD的二维材料VFET（垂直场效应晶体管）制备及其电学性能，以期为二维材料在半导体器件中的应用提供新的思路和方向。二、CVD法制备二维材料概述 CVD法是一种利用气态物质在固态表面发生化学反应生成固态材料的技术。该方法在制备二维材料方面具有许多优势，如可以控制生长的厚度、尺寸和结构等。本文中，我们主要采用CV
2025-05-13 约4.29千字 9页立即下载
一种新型准二维硒掺杂含碲超导材料及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113371686 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110345750.2 (22)申请日 2021.03.25 (71)申请人中山大学地址 51
2023-06-18 约9.61千字 10页立即下载
一种二维层状Co-ZIF-9材料的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114561023 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210244661.3 B01D 53/62 (2006.01) (22)申请日 2022.03.
2023-05-07 约5.61千字 5页立即下载
一种二维纳米多孔介质材料及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113385051 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110665360.3 (22)申请日 2021.06.16 (71)申请人江南大学地址 21
2023-06-19 约5.2千字 6页立即下载
一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114790569 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202210430716.X (22)申请日 2022.04.22 (71)申请人福建师范大学地址 350108
2023-05-12 约1.22万字 12页立即下载
一种二维单晶四氧化三铁纳米材料及制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808140 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110109805.X (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人河南大学地址 475004 河
2023-05-13 约7.64千字 8页立即下载
一种反铁磁性晶体及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883072 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210547543.X (22)申请日 2022.05.20 (71)申请人新疆大学地址 830046
2023-05-16 约1.77万字 10页立即下载
一种人工膀胱铁磁复合物及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112972778 B (45)授权公告日 2022.05.27 (21)申请号 202110163307.3 A61L 31/10 (2006.01)
2023-06-07 约9.91千字 8页立即下载
中熵MAX相材料、中熵二维材料及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112811906 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110023870.0 (22)申请日 2021.01.08 (71)申请人北京航空航天大学地址
2023-06-03 约2.2万字 18页立即下载
一种改进的CVD设备、以及用改进的CVD设备实现共渗沉积铝硅涂层的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112981368 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 202110147304.0 C23C 16/56 (2006.01)
2023-06-06 约2.54万字 25页立即下载
二维材料及其制备方法和应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112978688 B (45)授权公告日 2023.04.14 (21)申请号 202110277143.7 审查员吴晗 (22)申请日 2021.03.15
2023-06-11 约1.25万字 11页立即下载
一种超级电容器用二维氮掺杂多孔炭材料的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112830471 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202110034488.X (51)Int.Cl.
2023-06-02 约8.3千字 7页立即下载
一种石墨毡负载二维层状纳米片的电芬顿阴极材料及其制备方法与应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112811536 B (45)授权公告日 2022.06.14 (21)申请号 202011477085.4 CN 111659468 A,2020.09.15 (22)申请日
2023-06-02 约1.51万字 14页立即下载
一种用于二维材料表面非对称组装及修饰纳米结构的制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112830460 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202110025517.6 C01G 39/06 (2006.01) (22)申请日 2
2023-06-04 约8.46千字 7页立即下载