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模拟电子技术基础简明教程 课后答案第三版 (杨素行 著) 高等教育出版社.doc 题1－13 （a）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（b）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。（c）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（d）发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。（e）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。（f）发射结正偏，集电结电压为0，故BJT处于临界饱和状态。（g）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（h）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。题2－1 判断图中放大电路有无放大作用，说明理由。因为E结反偏，C结正偏，所以无放大作用。应将+VCC改成-VCC 电源未给发射结正偏——无放大作用。

2018-02-11 约2.53千字 12页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案.docx (完整 word 版)模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案 (完整 word 版)模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案 PAGE PAGE 1 习题习题1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2 假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μ A，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为： 2?3 ?10?

2022-11-15 约3.31千字 6页立即下载

模拟电子技术基础简明教程（第三版）杨素行课后习题解答.pdf 模拟电子技术基础简明教程（第三版）杨素行课后习题解答第1章半导体器件 1.1本章学习要点各种半导体器件,包括半导体二极管、稳压二极管、双极型三极管和场效应三极管等是构成各种模拟电子电路（包括分立元件电路和集成电路）的基本元件。因此,本章属于模拟电子电路的基础性内容。 1・1.1本章内容提要 1.半导体的基本知识半导体器件由各种半导体材料制成,例如硅、错等。纯净的半导体称为本征半导体。半导体中有两种栽流子：带负

2022-10-23 约31.51万字 355页立即下载

模拟电子基础简明教程[第三版]杨素行.docx 题1－13 （a）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（b）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。（c）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（d）发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。（e）发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。（f）发射结正偏，集电结电压为0，故BJT处于临界饱和状态。（g）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。（h）发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。题2－1 判断图中放大电路有无放大作用，说明理由。因为E结反偏，C结正偏，所以无放大作用。应将+VCC改成-VCC电源未给发射结正偏——无放大作用。应将Rb连在电源和基

2017-03-14 约2.2千字 13页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第八章教程.ppt 第八章　波形发生器;8.1　正弦波振荡电路的分析方法;由此知放大电路产生自激振荡的条件是：;8.1.2　正弦波振荡电路的组成和分析步骤;8.2　RC 正弦波振荡电路;图 8.2.2;　　得 RC 串并联电路的幅频特性为：;二、振荡频率与起振条件;三、振荡电路中的负反馈;8.2.2　其他形式的 RC 振荡电路;二、双 T 选频网络振荡电路;表 8 - 1　三种 RC 振荡电路的比较;8.3　LC 正弦波振荡电路 ;并联谐振角频率;回路等效阻抗：;　　不同 Q 值时，LC 并联电路的幅频特性：;谐振时 LC 回路中的电流;8.3.2　变压器反馈式振荡电路;8.3.3　电感三点式振荡电路;8.3.

2017-04-27 约小于1千字 33页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第三章.ppt 三、高频段考虑并联在极间电容的影响，其等效电路： b c e + Rb ~ ? + + + Rc Rs 图 3.3.8　高频等效电路三、高频段考虑并联在极间电容的影响，其等效电路：图 3.3.9　高频等效电路的简化 c e + ~ ? + + Rc 　　由于输出回路时间常数远小于输入回路时间常数，故可忽略输出回路的结电容。并用戴维南定理简化。 c e + ~ ? + + Rc 图中 —— C ?与 R ? 构成 RC 低通电路。高频时间常数：上限(-3 dB)频率为：四、完整的波特图绘制波特图步骤： 1. 根据电路参数计算

2016-12-18 约3.5千字 44页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第二章讲述.ppt (二) 图解法图 2.7.4　用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。二、动态分析 iD 的全微分为上式中定义： —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS)。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 1. 微变等效电路二、动态分析如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。成为：根据上式做等效电路如图所示。图 2.7.5　场效应管的微变等效电路 + + — — G D S 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。微变参数 gm 和 rDS (1)

2017-03-25 约1.32万字 90页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第五章.ppt 第五章放大电路中的反响5.1反响的根本概念5.2负反响对放大电路性能的影响5.3负反响放大电路的分析计算5.4负反响放大电路的自激振荡 5.1反响的根本概念在电子设备中经常采用反响的方法来改善电路的性能，以到达预定的指标。例如，采用直流负反响稳定静态工作点。Rb1和Rb2分压，使基极UB固定。TICQ(IEQ)UEQ=IEQReUBQ固定UBEQ=UBQ-UEQIBQICQ使ICQ根本不随温度变化，稳定了静态工作点。反响概念的建立图图5.1.1放大电路中的反响，是指将放大电路输出电量(输出电压或输出电流)的一局部或全部，通过一定的方式，反送回输入回路中。UBEQ?UBQ-ICQRE将输出电流

2025-02-05 约5.51千字 50页立即下载

1模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第一章.ppt 1.3.5　PNP 型三极管　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。图 1.3.13　三极管外加电源的极性 (a) NPN 型 VCC VBB RC Rb ~ N N P + ? ? + uo ui (b) PNP 型 VCC VBB RC Rb ~ + ? ? + uo ui PNP 三极管电流和电压实际方向。 UCE UBE + ? + ? IE IB IC e b C UCE UBE (+) (?) IE IB IC e b C (+) (?) PNP 三极管各极电流和

2018-12-24 约1.65万字 90页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行_PPT_第二章.ppt 第二章　放大电路的基本原理;2.1　放大的概念;2.2　放大电路的主要技术指标;2. 最大输出幅度;5. 输出电阻 Ro;;2.3　单管共发射极放大电路;2.3.2　单管共发射极放大电路的工作原理;2. 组成放大电路的原则：;4. 单管共射放大电路;图 2.4.1(b);2.4.2　静态工作点的近似计算;【例】图示单管共射放大电路中，VCC = 12 V，;#1 2.4.3　图解法;输出回路;图 2.4.3(a);0;(二) 图解分析动态;3. 电压放大倍数;动态工作情况图解分析;;　　单管共射放大电路当输入正弦波 uI 时，放大电路中相应的 uBE、iB、iC、uCE、uO 波形。;

2017-06-20 约1.14千字 90页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行 PPT 第一章.ppt 第一章　半导体器件;1.1　半导体的特性;硅原子结构;1.1.1　本征半导体 ;+4;1. 半导体中两种载流子;1.1.2　杂质半导体; 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。;+4;二、 P 型半导体;说明：;1.2　半导体二极管;一、 PN 结中载流子的运动;3. 空间电荷区产生内电场;5. 扩散与漂移的动态平衡;二、 PN 结的单向导电性;　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电

2017-06-23 约1.49千字 90页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第四章.ppt + uBE iB iB1 iC2 iC iE iE1 = iB2 VT1 b VT2 e c iC1 则三极管输入电阻 rbe 其中所以显然，?、rbe 均比一个管子 ?1、rbe1 提高了很多倍。图 4. 2.19 构成复合管时注意　　1. 前后两个三极管连接关系上，应保证前级输出电流与后级输入电流实际方向一致。　　2. 外加电压的极性应保证前后两个管子均为发射结正偏，集电结反偏，使管子工作在放大区。复合管的接法 VT1 b VT2 e c ? ? ? ? VT2 VT1 b e c (a) NPN 型 (b) PNP 型图 4. 2. 20　复合管的接法 (c) NP

2016-12-20 约7.98千字 65页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第八章.ppt * 第八章　波形发生器 8.1　正弦波振荡电路的分析方法 8.2　RC 正弦波振荡电路 8.3　LC 正弦波振荡电路 8.4　石英晶体振荡器 8.5　非正弦波发生电路 8.1　正弦波振荡电路的分析方法 8.1.1　产生正弦波振荡的条件 ~ 放大电路反馈网络　　如果反馈电压 uf 与原输入信号 ui 完全相等，则即使无外输入信号，放大电路输出端也有一个正弦波信号——自激振荡。图 8.1.1　反馈放大电路产生自激振荡的条件由此知放大电路产生自激振荡的条件是：即：所以产生正弦波振荡的条件是： ——幅度平衡条件 ——相位平衡条件 8.1.2　正弦波振荡电路的组成和分析步骤　　组成：放

2016-12-20 约字 33页立即下载

模拟电子技术基础简明教程第三版杨素行PPT课件第一章.ppt 1.3.5　PNP 型三极管　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。图 1.3.13　三极管外加电源的极性 (a) NPN 型 VCC VBB RC Rb ~ N N P + ? ? + uo ui (b) PNP 型 VCC VBB RC Rb ~ + ? ? + uo ui PNP 三极管电流和电压实际方向。 UCE UBE + ? + ? IE IB IC e b C UCE UBE (+) (?) IE IB IC e b C (+) (?) PNP 三极管各极电流和

2017-06-15 约1.38万字 90页立即下载

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行-PPT课件-第二章.ppt (二) 图解法图 2.7.4　用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。二、动态分析 iD 的全微分为上式中定义： —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS)。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 1. 微变等效电路二、动态分析如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。成为：根据上式做等效电路如图所示。图 2.7.5　场效应管的微变等效电路 + + — — G D S 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。微变参数 gm 和 rDS (1)

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