双极晶体管总剂量辐射失效概率陈盘训.pdf

双极晶体管总剂量辐射效应及其表征方法研究的中期报告.docx 双极晶体管总剂量辐射效应及其表征方法研究的中期报告本研究旨在研究双极晶体管的总剂量辐射效应及其表征方法，以下为中期报告。一、研究背景在卫星、航空、航天等高可靠性电子系统中，双极晶体管被广泛应用。但是在长时间的辐射环境下，双极晶体管的电性能会发生变化，影响系统的可靠性。因此研究双极晶体管的总剂量辐射效应，对于提高电子系统的可靠性有着重要的意义。二、研究目的本研究旨在探究双极晶体管的总剂量辐射效应及其表征方法，为高可靠性电子系统提供可靠性保证。三、研究内容 1. 综述双极晶体管的总剂量辐射效应及其研究现状； 2. 实验研究不同总剂量辐射下双极晶体管的电学参数变化； 3. 探究不同表征方

2023-10-09 约小于1千字 2页立即下载

双极晶体管总剂量辐射效应及其表征方法研究的开题报告.docx 双极晶体管总剂量辐射效应及其表征方法研究的开题报告【摘要】随着芯片设计制造工艺的不断发展，电子器件的集成度不断提高，尤其是在微子米及纳米级别的集成电路中，双极晶体管成为了不可或缺的元器件。然而，电子器件在宇宙射线环境下长期运行时受到的总剂量辐射效应会导致器件性能的不稳定和寿命缩短，对于双极晶体管也同样如此。因此，对双极晶体管的总剂量辐射效应研究及其表征方法的研究具有极高的研究价值。本文将重点研究双极晶体管在总剂量辐射环境下的辐射效应，包括辐照剂量对双极晶体管DC特性的影响、剂量率效应的研究以及限制性物种（ELDRS）效应的研究等。同时，本文将研究双极晶体管总剂量辐射效应的表征方法，包括电

2023-08-15 约2.13千字 2页立即下载

双极晶体管课件.ppt 12.7大信号开关肖特基钳位晶体管：使VBC不会太高，少子浓度降低而加快速度。 * 减少存储时间、提高晶体管的转换速度的一种常用的方法是采用肖特基钳位晶体管。（1）晶体管在正向有源区时，B-C结反偏，肖特其二极管反偏，在电路中不起作用；（2）当晶体管进入饱和区时，B-C结正偏，肖特基二极管也变为正偏，而由于肖特基二极管是pn结的一半，大部分过剩基极电流都被肖特基二极管从基区中分流，存储在基区和集电区的过剩少子的数量大减少，这样减少小了存储时间。本章小结本章小结本章小结作业 * P393复习题：6，12 12.6 2013-11-21-Thursday 12.2 少

2016-12-02 约4.45千字 55页立即下载

2019-11-26 约小于1千字 41页立即下载

双极晶体管课件.ppt *3.3晶体管的直流电流增益四、电流增益（1）发射效率*3.3晶体管的直流电流增益（2）输运系数均匀基区晶体管：λ=2基区杂质线性分布：λ=4基区杂质指数近似：*3.3晶体管的直流电流增益（3）共基极电流增益（4）共射极电流增益发射效率与均匀基区形式相同*3.3晶体管的直流电流增益3.3.3提高放大系数的途径 1、减小基区宽度（基区少子浓度梯度大，且复合损失小） 2、提高发射区的杂质浓度与基区杂质浓度比NE/NB↑（NE有上限，NB也不能太低） 3、提高基区电场因子 4、提高基区“少子”寿命*3.3.4影响电流放大系数的因素1.发射结势垒复合对电流放大系数的影响*2.发射区重掺杂效应对电流放

2025-04-14 约5.06千字 10页立即下载

一种MOS晶体管的总剂量辐射诱发漏电流建模方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117252137A (43)申请公布日2023.12.19 (21)申请号202311181831.9 (22)申请日2023.09.14 (71)申请人西北工业大学地址710072

2023-12-15 约1.43万字 11页立即下载

双极晶体管直流特性.pptx 第三章双极型晶体管的直流特性;3.1 双极晶体管的基础;2019/11/23; 双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。; 加在各PN 结上的电压为：;放大状态：;;; （1）基区必须很薄，即WB LB ； ; 晶体管放大电路有两种基本类型，即共基极接法与共发射极接法。;;;;;

2020-01-11 约3.16千字 109页立即下载

双极晶体管相关资料.pdf

2020-02-03 约小于1千字 50页立即下载

反向导通绝缘栅双极晶体管.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410294 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110286628.2 (22)申请日 2021.03.17 (30)优先权数据

2023-06-17 约4.3万字 41页立即下载

第12章双极晶体管讲述.ppt 12.7大信号开关肖特基钳位晶体管：使VBC不会太高，少子浓度降低而加快速度。 * 减少存储时间、提高晶体管的转换速度的一种常用的方法是采用肖特基钳位晶体管。（1）晶体管在正向有源区时，B-C结反偏，肖特其二极管反偏，在电路中不起作用；（2）当晶体管进入饱和区时，B-C结正偏，肖特基二极管也变为正偏，而由于肖特基二极管是pn结的一半，大部分过剩基极电流都被肖特基二极管从基区中分流，存储在基区和集电区的过剩少子的数量大减少，这样减少小了存储时间。本章小结本章小结本章小结作业 * P393复习题：6，12 12.6 2013-11-21-Thursday 12.2 少

2017-04-03 约4.47千字 55页立即下载

双极功率晶体管与场效应晶体管的比较 .pdf 双极功率晶体管与场效应晶体管的比较导言：在电子元件领域，功率晶体管被广泛应用于功率放大和开关电路中，而双极功率晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）和场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是其中两种常见的类型。本文将对这两种晶体管进行比较，包括工作原理、特性和应用等方面。一、工作原理 1.双极功率晶体管：双极功率晶体管是一种三层晶体管，由两个PN结组成。在工作过程中，控制电流被注入基极结，通过基极电流来控制负载电流。当基极电流达到一定的阈值，集电极-发射极之间的电流就会增加。它可以工作在放大模式和开关模式下。 2.场

2024-12-06 约1.29千字 2页立即下载

29 双极晶体管功率特性.PPT * 3.9 双极型晶体管的功率特性内容大电流（大注入）高电压（击穿）大功率 1、大注入效应 2 、有效基区扩展效应 3、发射极电流集边效应 4、 晶体管最大耗散功率PCM 5、二次击穿和安全工作区 1、大注入效应 1）任意注入下基区内建电场（1）大小注入的概念 nb(x) pb(x) nb(x) pb(x) 小注入大注入（2）大注入自建电场的产生 ①原因： ②大小：理论依据多子电流为零 nb(x) pb(x) 小注入大注入 ③作用：多子的浓度梯度加速少子通过基区爱因斯坦关系 2）任意注入下的电流－电压关系电流方向与x正向相反等式两边在0～WB范围内进行积分乘

2017-07-31 约1.88千字 21页立即下载

ch4_双极结型晶体管(npn).pdf 第一部分半导体器件第四章双极结型晶体管 郑新和 1 第四章双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor) 4.1 BJT基本组成和符号描述 4.2 基本工作原理 4.3 载流子分布和电流增益参数 4.4 非理想因素 4.5 晶体管的瞬态行为 4.6 其它双极晶体管器件

2017-09-26 约10.8万字 150页立即下载

《绝缘栅双极晶体管》课件介绍.ppt 绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术详解;课件导览;IGBT的历史发展;IGBT的基本定义;IGBT与其他器件的比较;IGBT的基本特征;IGBT的主要参数;IGBT的工作原理简介;IGBT的应用领域概览;现代电力电子技术中的地位;IGBT基本结构;IGBT内部结构详解;沟道形成机制;载流子传输过程;IGBT开关过程分析;导通损耗计算;开关损耗分析;热设计与散热;寄生效应;IGBT驱动电路;驱动电路设计;保护机制;工作环境适应性;性能参数选择;IGBT分类;第一代IGBT特点;第二代IGBT改进;第三代IGBT创新;应用：电力传输;应用：工业自动化;应用：新能源汽车;应用：轨道交通;应用：可再生能

2025-04-29 约小于1千字 60页立即下载

一种绝缘栅双极晶体管终端.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213150781 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202022416606.7 (22)申请日 2020.10.27 (73)专利权人瑞能半导体科技股份有限公司

2023-03-03 约1.27万字 12页立即下载