电路与模拟电子技术电子教案教学课件作者洪小达第4章小结课件.PPT

* 传媒研究所 小 结 第 4 章 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 — 带负电荷 空穴 —带正电荷 两 种 半导体 N 型 (多子电子，少子空穴) P 型 (多子空穴，少子电子) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大(?)。 iD O uD U (BR) I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流 IF 反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿) 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响) 第 4章 　小　结 IS 3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD(on) 正偏电压 ? UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开 UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 估算时取 0.7 V 硅管： 锗管： (0.1 ? 0.3) V 0.2 V 折线近似模型 相当于有内阻的恒压源 UD(on) 第 4章 　小　结 4. 二极管的分析方法 图解法 微变等效电路法 5. 特殊二极管 工作条件 主要用途 稳压二极管 反 偏 稳 压 发光二极管 正 偏 发 光 光敏二极管 反 偏 光电转换 第 4章 　小　结 三、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT) 单极型半导体三极管(场效应管 FET) 两种载流子导电 仅有多数载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN PNP 三区、三极、两结 2. 特点： 基极电流控制集电极电流即IB控制IC，并实现放大 放大 条件 内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEO IE = IC + IB IC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 第 4 章　小　结 4. 特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / ?A uBE / V 60 40 20 80 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) ) ： 0.6 ? 0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 ? 0.3 V 取 0.3 V (锗管) 放大区 饱 和 区 截止区 放大区特点： 1)iB 决定 iC 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控 第 4 章　小　结 5. 参数 特性参数 电流放大倍数 ? ? ? = ? /(1 ? ? ) ? = ? /(1 + ? ) 极间反向电流 ICBO ICEO 极限参数 ICM PCM U(BR)CEO uCE O ICEO iC ICM U(BR)CEO PCM 安 全 工 作 区 = (1 + ?) ICBO 第 4 章　小　结 场效应管 1. 分类 按导电 沟道分 N 沟道 P 沟道 按结构分 绝缘栅型 (MOS) 结型 按特性分 增强型 耗尽型 uGS = 0 时， iD = 0 uGS = 0 时， iD ? 0 增强型 耗尽型 (耗尽型) 2. 特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高，工艺简单，易集成 第 4 章　小　结 由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和输出特性描述 不同类型 FET 转移特性比较 3. 特性 结型 N 沟道 uGS /V iD /mA O 增强型 耗尽型 MOS 管 (耗尽型) IDSS 开启电压 UGS(th) 夹断电压UGS(off) IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 第 4 章　小　结