双极型隔离栅晶体管_IGBT_的建模.doc

《《IGBT绝缘栅双极型晶体管》.doc IGBT 求助编辑百科名片 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目录结构工作特性静

2015-10-02 约7.68千字 7页立即下载

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)知识大汇总.docx 一、IGBT是什么？ IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大） IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电

2025-05-02 约3.62千字 10页立即下载

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)未来发展趋势.pptx 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)未来发展趋势汇报人：XXX2025-X-X 目录1.IGBT技术发展概述 2.IGBT关键材料与工艺 3.IGBT应用领域拓展 4.IGBT可靠性提升策略 5.IGBT模块与封装技术 6.IGBT产业链发展 7.IGBT产业政策与市场 8.IGBT未来技术挑战与展望 01IGBT技术发展概述 IGBT技术发展历程诞生背景IGBT技术起源于20世纪70年代，是电力电子领域的重要器件之一。其诞生背景是随着电力电子设备对功率密度和效率要求的提高，需要一种兼具高电压、大电流和高开关速度的器件。发展历程从1970年代的初步研究到1980年代的商业化应用，IGBT技术经历了快

2025-03-07 约5.8千字 35页立即下载

8 英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究.pdf Research Electronic Engineering—Article 8 英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 * 刘国友，丁荣军，罗海辉摘要：基于 8 英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，导致目前国内95 % 以上的IGBT产品依赖进口。究其原重点解决了 8 英寸 IGBT 先进工艺技术、第四代高压双扩散金 20 80 IGBT

2019-07-03 约3.47万字 6页立即下载

双极型晶体管.doc 双极型晶体管 晶体管的极限参数　　双极型晶体管（Bipolar Transistor）　　由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗

2017-02-07 约6.5千字 8页立即下载

双极型晶体管的频率.ppt *二、晶体管高频h参数及其等效电路1、共基极h参数及其等效电路输入端电压为两部分电压串联输入电流在输入阻抗上的压降输出电压对输入回路的反作用（电压源）输出电流为两部分电流并联被放大的输入电流（电流源）输出电压在输出阻抗上产生的电流~+-+-iehrbucichibhfbIchobbech参数与Y参数只是从不同角度反映晶体管内部电流、电压关系，因而其间可以互相转换低频时可忽略电容效应高频时可忽略基区宽变效应h11和h12的意义h21和h22的意义2、共发射极h参数及其等效电路h参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。h参数与工作点有关，在放大区基本不变。h参数都是微变参数，所以只适合对交流小信

2025-02-05 约4.61千字 10页立即下载

《绝缘栅双极型晶体管.doc 绝缘栅双极型晶体管 IGBT介绍 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N

2017-01-11 约4.48千字 8页立即下载

L02-双极型晶体管.ppt 半导体器件原理主讲人：蒋玉龙本部微电子学楼312室mail:1 第二章双极型晶体管2.1根本结构、制造工艺和杂质分布2.2电流放大原理2.3直流特性2.4反向特性2.5晶体管的模型2.6频率特性2.7开关特性2 2.1根本结构、制造工艺和杂质分布12.1.1晶体管的根本结构n+pnEBC发射区基区集电区p+npEBC发射区基区集电区ECBnpnECBpnp3 2.1根本结构、制造工艺和杂质分布22.1.2制造工艺合金管平面管4 2.1根本结构、制造工艺和杂质分布32.1.3杂质分布均匀基区缓变基区基区内载流子传输方式自建电场扩散扩散漂移+扩散型晶体管漂移型晶体管5 第二章双极型晶体管2.1根

2024-04-09 约字 149页立即下载

双极型晶体管(BJT).ppt * 总结 1）当没有输入信号时，三极管有静态电流、电压IBQ、ICQ、VCEQ等值；而加入输入信号后，三极管电流、电压的瞬时值随信号的变化而变化，但方向（即极性）始终不变。 2)由于输入信号很小，在信号的变化过程中，其动态范围在三极管的伏安特性曲线上近似于直线，因而管子是在近似线性状态下工作的，电路中的各交流量均与输入信号成线性关系。所以电路能基本实现不失真放大。放大倍数为交流量之比； 3)输出与输入相位差180o，这称之为反相，是共射放大电路的一个特点。 * （2）电路接负载放大器工作时，输出端接有负载RL。这时放大器的工作情况是否会因为RL的接入而受影响呢？静态时，由于C2隔

2015-12-24 约1.16万字 65页立即下载

1. 双极型晶体管.PDF 1. 双极型晶体管 （1）双极型晶体管：由两种极性的载流子（自由电子和空穴）在其内部做扩散、复合和漂移运动的半导体三极管称为双极型晶体管。（2 ）基本结构：按着的组合方式的不同，晶体管分为PNP 和NPN 型两种。所以每种类型的晶体管都有三个导电区域，即发射区、基区和集电区。由每个区引出相应的电极分别称为发射极、基极和集电极。（3 ）工作状态：晶体管的工作状态有三种，即放大状态、饱和状态和截止状态。 晶体管处于放大状态的条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。 晶体管处于饱和状态的条件是发射结正向偏置，集

2017-06-11 约5.34千字 5页立即下载

绝缘栅双极型晶体管(igbt)的保护（Protection of insulated gate bipolar transistor (IGBT)）.doc 绝缘栅双极型晶体管(igbt)的保护（Protection of insulated gate bipolar transistor (IGBT)） IGBT insulated gate bipolar transistor is a device by MOSFET and bipolar transistors compounded, the input is very MOSFET, very PNP output transistor, therefore, can be regarded as the input of MOS darlington. It blends the a

2017-08-03 约1.05万字 9页立即下载

2025-2030年中国IGBT绝缘栅双极型晶体管行业十三五规划及投资战略研究报告.docx 2025-2030年中国IGBT绝缘栅双极型晶体管行业十三五规划及投资战略研究报告目录 TOC\o1-3\h\z\u一、中国IGBT绝缘栅双极型晶体管行业概述 3 1.IGBT技术简介及发展历程 3 的工作原理及特点 3 技术的应用领域 5 技术发展趋势 6 2.中国IGBT市场现状分析 8 市场规模、增长率及结构 8 主要应用领域及需求趋势 10 国内外市场对比与竞争格局 12 3.我国IGBT产业链布局 14 原材料供应商 14 中游芯片设计及制造企业 16 应用终端行业 17 中国IGB

2025-02-03 约3.8万字 52页立即下载

2025年绝缘栅双极型晶体管(IGBT)产业现状与发展前景趋势.pptx 2025年绝缘栅双极型晶体管(IGBT)产业现状与发展前景趋势;目录;01;IGBT定义及工作原理;IGBT发展历程;IGBT应用领域;02;全球IGBT市场规模及增长率;主要IGBT生产国及市场份额;中国IGBT产业发展情况;03;SiC和GaN等新型半导体材料的应用;高电压、大电流、高频IGBT技术;智能化、模块化IGBT技术;04;原材料产业链;制造产业链;应用产业链;05;国家政策支持;国际标准发展;行业标准制定;06;国内外主要IGBT企业竞争情况;市场竞争策略;市场集中度分析;07;市场需求预测;技术创新方向;产业发展机遇与挑战;THANKS

2025-04-21 约小于1千字 31页立即下载

功率NPN双极型晶体管.ppt 功率NPN双极型晶体管主要内容一、NPN功率晶体管的失效机理 1、发射极去偏置 2、热击穿和二次击穿 3、基区扩展效应二、功率NPN晶体管的版图 1、叉指状发射极晶体管 2、宽发射区窄接触孔晶体管 3、圣诞树结构器件 4、十字形发射极晶体管 三、总结一、NPN功率晶体管的失效机理困扰功率双极型晶体管设计的3个最主要的问题是：发射极去偏置、热击穿和二次击穿。这3个问题都是由功率晶体管中典型的高电流和高功耗所引起的。这些机制在小信号晶体管中不会引起问题，但是却对功率晶体管的设计造成了

2017-12-26 约4.52千字 26页立即下载

PNP双极型晶体管的设计.pdf 目录 L课程设计目的与任务2 2.设计的内容2 3.设计的要求与数据2 4.物理参数设计3 4.1各区掺杂浓度及相关参数的计算3 4.2集区厚度Wc的选择6 4.3基区宽度MB6 4.4扩散结深10 4.5芯片厚度和质量10 4.6晶体管的横向设计、结构参数的选择10 5.工艺参数设计11 5.1工艺部分杂质参数11 5.2基区相关参数的计算过程11 5.3发射区相关参数的计算过程13 5.4氧化时间的计算14 6.设计参数总结16 7.工艺流程图17 8.生产工艺流程19 9.版图28 10.心得体会29 11.参考文献30 PNP双极型晶体管的设计 1、课程设计目的与任务《微子器件与工艺

2025-03-19 约3万字 29页立即下载