掺锡氧化铟纳米粉体的制备及表征.pdf

国画鲁田野 2009 ,Vo 1. 26 No.ll ~毡爹岛建拗王任 Ct晤mistry Bio町、glneeflng 掺锡氧化锢纳米粉体的制备及表征 蒋跃强，王建华，廖 宏，聂福键，如l 永刚 (中国工程物理研究院化工材料研究所，四川绵阳 621900) 摘 要:以 InC1 .5H， O 和 SnCl， .5H， O 为原料，以 NH • H， O 作共沉淀剂，采用表面活性剂及有机脱水的方法 3 3 防团聚，制备了纳米掺锡氧化锢ITQ)粉体，并用 x-射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、比表面测定、傅主叶红 外吸收光语等对制得的粉体进行了表征。结果表明，制得的球形 ITO 粉体分散性好、拉度均匀，具有单相立方 In， 03 晶 I 体结构，其乎均粒径约 40 nm，在 714-3333 cm- 5% ，是-种优良的红外吸收材料。 范围内对红外光的平均透过率小于 关键词 :ITO; 液相化学共沉淀p 纳米粉体;表征 中图分类号:TF 123.7 文献标识码:A 文章编号:1672一5425(2009) 11-0020-03 掺锡氧化锢CIndium tin oxide. ITO) 是一种 n 型 美国;HPDSC204 型热分析仪，德国 NETZSCH。 半导体材料，在实际应用中多以薄膜的形式出现。 1. 2 ITO 纳米粉体的制备 ITO 薄膜具有对可见光透明、强烈反射红外光、电阻 称取计算量(使最终产物锢与锡的物质的量之比 为 19 : 1)的 InCla • 5H 0 和 SnCl， • 5H O. 先分别 低的特性，应用广泛。 ITO 薄膜的制备一般都是先将 z z 制成一定浓度的潜液;再将其混合搅拌均匀，然后加 ITO 粉末制成靶材，然后用直流磁控溅射法将靶材制 入适量的表面活性剂聚乙二醇;在恒温水浴槽中于 成 ITQ 薄膜，对于制备靶材所用的 ITO 粉末，要求纯 度高、粒度细、分散性好、掺杂均匀性好[1.ZJ 。 60.C 下边搅拌边缓慢匀速滴加氨水以调整反应液的 pH 值至设计值，继续搅拌 1 h ，使其沉淀完全;反应完 目前制备纳米 ITO 粉体的方法有很多种，但能够 成后，沉淀经抽捷、洗海、有机脱水，100C干燥 2 h; 然 应用于工业生产的仅有喷雾燃烧法和液相化学共沉淀 法。其中液相化学共沉淀法不仅能从分子水平设计和 后在适当温度下于马弗炉中锻烧 1 h ，自然冷却、研 磨，即得到 ITO 纳米粉体。 控制材料的均匀性、成分、粒度，制得粒度小、均匀的高 1. 3