集成工艺报告.doc

集成工艺silvoco软件仿真报告 电子101 梁嘉诚1011002006 实验一 软件和仿真实例学习 实验二 单项工艺一：淀积和外延 1、淀积 2、外延 实验三 单项工艺二：刻蚀 1、简单刻蚀 2、任意形状刻蚀 3、对材料刻蚀一定的厚度 4、干法（各向异性）刻蚀 5、湿法（各向同性）刻蚀 实验四 单项工艺三：离子注入和扩 1、离子注入 （1）、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e13 energy=70 diffuse time=30 temperature=1000 结深=0.700554 （2）、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e14 energy=70 diffuse time=30 temperature=1000 结深=0.775545 （3)init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e13 energy=80 diffuse time=30 temperature=1000 结深=0.883432 (4)、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e13 energy=70 diffuse time=40 temperature=1000 结深=0.87786 (5)、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e13 energy=70 diffuse time=30 temperature=950 结深=0.776654 (6)、init silicon c.phos=1.0e14 implant boron dose=1e14 energy=70 diffuse time=30 temperature=950 结深=0.72038 2、离子扩散(书本上第471页第一题） init silicon c.phos=1.8e16 diffuse time=30 temperature=950 c.boron=1.8e20 结深=0.7282443 实验五 单项工艺：光刻 1、掩膜及成像的光强分布 2、光刻胶光刻 第 1 页 共 10 页