1.3-1.55 m波长DFB和DBR激光器最新进展.PDF

维普资讯 第11卷第 3期 警 导 体 光 电 Voi．11．No．3 I990年 9月 - 一 ：1d ctor 0D~oelectror{c~ Sept1990 1。5～1。55am波长DFB和DBR激光器最新进展 何 兴 仁 重 庆 光 电技 术 研 究 所 馒庆市永川 632163 1989年12~27目收至!j；1990年3月28日定书 摘要 ：本文介绍近年来国外在研制1．3～1．55m波长InGaAsP材料 系DFB@ DBR 激光器方面取得的最新成果。 关键词：半导体激光器，光通信 ’ Recent ~dvancesin Long一W。 avelength (1。3～ 1．55am)DFB and DBR LaserDiodes HeXingren ChongqingOptoelectronicsResearch Institute Yongchl】an，Chongqing632163 Reee{ved27Dee．1989；revised28Mar．1990 Abstract．Thepaperl~esenlsnew developmenlofInGaAsP asedDFBandDBR laserdiodeswilhwavelenglh of 】 ． 3～ 1．55 m achieved in lecentyealsoulofChi— rla ． Keywords． SemiconduclorLaserDiodeandOplicalCommUllica1ion ． 商品化it]。因为这种光源 光 谱纯，模 式 稳 l 引言 定，很适合Gb／s速率下工作，被确认为下一 从八十年代初开始，对具有频率选择特 代光纤通信的理想光源，并在近几年的一系 f~NInGaAsP材料系DFB和DBR激光二极管 列长途大容量光纤传输试验系统 中获得证 进行了广泛研制。由予采用目前最先进的半 实。这些应用促进了光源的发展，也对其性 导体光电器件制作手段，进展非常迅速。八 能，如可靠性、动态模式稳 定性、输 出功 十年代中期，1．3和1．55m的DFBLD开始 率、响应频带、光谱线宽、波长可调范围等 248 · 维普资讯 挺出新的要求。 商介绍近儿年来在提高这 的长波长Dt；BLD的最低I伯的是 1988q：：}~m 些性能的基础上，长波长DFB和DBRLD取 三菱电子公司LSI研究所 研 制的p型衬底局 得的主要进展。 部反型瞄埋异质结构(PPIBH)DFBLD 。 该器件 MOCVD／LPE混 合技术生长，其 2 低 值 (Ith)DFB LD 结构见图1。 阈值 电流 (I他)是半导体光源的一项重要 参数，低的I地