第1章 半导体与PN结-2 2013.3.22.pdf

产生粒子数反转的方法 • 注入载流子－半导体激光器 • 强光对激光物质进行照射－固体激光器 • 气体电离－气体激光器 2. 粒子数反转分布状态 为了使物质发光，就必须使其内部的 自发辐射和/或受激辐射几率大于受激吸 收的几率。 有多种方法可以实现能级之间的粒子 数反转分布状态，这些方法包括光激励 方法、电激励方法等。 第3章 光源与光检测器 第3章 光源与光检测器 第3章 光源与光检测器 第3章 光源与光检测器 第3章 光源与光检测器 第3章 光源与光检测器 第3章 光源与光检测器 第3章 光源与光检测器 第3章 光源与光检测器 E E E hυ E 即： −( ) − −( ) F n F p 即 E − E hυ ：( ) ( ) F n F p 结论： （ 1）导带能级的电子占有率大于 价带能级的电子 (空穴？)占有率。 , （2）光子能量hυ≈E 所以，电子和空穴 g 的准费米能级之差必须大于禁带宽度。 所以 p n 高 ， 区和 区必须 掺杂。 （3）正 V 向电压 足够大， E E − E qV =E V g ( ) ( ) ，即 F n F p g q 第3章 光源与光检测器 导带 E 禁带 f E f 价带 (a) 本征半导体 (b) 兼并型P型半导体 E E fC f E fV (c) 兼并型N型半导体 (d) 双兼并型半导体 第3章 光源与光检测