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CY 30-1999印刷技术 胶印印版制作.pdf

发布:2023-07-26约1.15万字共15页下载文档
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CY/T 30—199920322324前言本标准等效采用国际标准IS012218《印刷技术——过程控制一—胶印印版制作》。这是一个涉及胶印晒版质量控制的操作性很强的标准。制定本标准的目的在于统一晒版工序的基本条件、操作规范和质量要求。这个标准在我国还是第一次制定。附录A是本标准的附录。附录B-附录E是提示的附录。本标准由全国印剧标准化技术委员会提出并归口。本标准起草单位:北京印刷学院中国印剧科学技术研究所中国印剧总公司。本标准主要起草人:袁朴李家祥岳德茂廉洁。ISO前ISO(国际标准化组织)是由各国标准化组织(ISO成员国)组成的世界性的标准化专门机构。制定国际标准的工作通常由ISO的技术委员会来完成。各成员团体若对某技术委员会已确立的标准项目感兴趣,均有权参加该委员会的工作。与ISO保持联系的各国际组织(官方或非官方的)也可参加有关工作。在电工技术标准化方面,ISO与国际电工委员会(IEC)保持密切合作关系。由技术委员会提出的国际标准草案提交各成员团体表决。国际标准需取得至少75%参加表决的成员团体的同意才能正式通过。国际标准IS012218是由印刷技术委员会(TC130)制定的。附录A是本国际标准的标准的附录。附录B~附录E是提示的附录。 CY/T 30—1999引生产胶印版材时,要在支持体(铝基)上涂一定厚度的感光膜,如果版材的感光膜是在版材生产厂预先涂布的,就叫傲预涂感光版,简称PS版。胶印版材上的感光涂层可以是阳图型(用于阳图网目调胶片),也可以是阴图型(用于阴图网目调胶片)。有些阳图型胶印版材能同时用于阴图,叫做阴阳转换型版材。制作胶印印版时,通过接触爆光的方法,将网目调胶片上的图文信息传递到胶印版材上。其它胶印制版方法,如利用反射或透射原稿投射到版材上晕光或直接书写等制版方法,不包括在本标准之内,但可使用本标准的基本原理。赚光前,一般用真空晒版机使网目调胶片的乳剂面与版材感光涂层紧密接触,所用照射光由漫射光和直射光组成。漫射光的好处是不易将阳图胶片的边缘、划痕和灰尘颗粒晒到印版上,但要注意,在胶片和印版接触不良的部位,漫射光会使图文转移不良。光时,版材的光学扩散作用和漫射光会减小阳图型版材上最细微层次的宽度,使版材上的图像元素(如网点)比网目调胶片上的图像元素小;面对于阴图型版材,同样的物理现象则会使印版上的网点大于网目调股片上的网点。厚光后、显影前,印版涂布层曝光部位和未喂光部位的颜色是不一样的。印版喂光后的显影是清洗印版上非印刷部位的感光层,即阳图版的呼光部位和阴图版的未爆光部位。印版的制作质量受以下参数影响:环境条件:温度、避度、紫外光、灰尘:一光源照度和均匀度,特别是真空条件;显影液的化学成分、温度和浓度;显影机毛刷和辊子的状态;显影速度(显影的时间);后处理条件。显影后,印版上印刷部位和非印刷部位的颜色对比要比显影前更加明显。攀光、显影后,修版、涂胶前,可进行烤版或后眼光处理。版材经晕光显影后就成为待用印版。修版时,可除或增加图像元索。涂胶时,将一层胶状液体薄薄地涂在印版的图像面上,目的是保护印版表面,防止在印刷过程中上脏。烤版或后课光处理是利用加热增强感光涂层抵御化学腐蚀和机械磨损的能力,提高耐印力。确定阳图型版材的最佳爆光有三个重要条件:a)曝光必须有足够的照度,使得胶片的边缘及其脏迹不被转移到印版上,保持版面的干净;b)眼光要适量,以保证图像高光部位的小网点不损失;e)由于曝光也决定阶调值,是工艺控制中十分重要的环节,因此,无论什么类型的胶印版材和什么样的处理条件,都要对零光进行控制,使胶片到印版的阶调值减少量保持稳定。实践中发残,在网线数为70cm或更少时,一次课光可满足条件a)和b),其噪光量明显比可能产生最佳分辨力(但也容易产生脏迹)的眼光量大。此外,条件e)可以通过观察挑选出的某一合适的细线读数来达到。那些图像元索小于25um的周期性或非周期性细小网点,用一次曙光不能达到条件a)和b)的要2 CY/T 301999注:1表B1给出的细线读数范围是基于5.1所说的用图像分析显微照相机对印版上网点阶调值进行广泛测试得来的2大多数阳图型印版的制版分册力部小于8表B1阳图细线读数范围(μm)晒版分辨率≤8 8 且≤12细线标读数范围12 ~ 1515 ~ 20B4相对给定细线读数范围的呼光宽容度的确定根据B2的说明进行分级曝光检测,不仅为阳图版标出了阳图细线读数,面且也标出了阴图版的阴图细线读数。在线对数图中,标绘出一条由这些数据点连成的光滑的曲线,确定该曲线在实际制版范围内的平均斜率m,并以米标出赚光量每变化10倍细线读数的变化。课光宽容度的计算公式为:L = 10/s式中:L喝光宽容度:平均斜率(即提升量);细线读数范围的宽度示例:见图B2,假定推荐的细线读数范围如表B1中所列,为12μ
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