文档详情

一种沟槽IGBT结构多晶硅形貌优化工艺.pdf

发布：2023-06-04约1.04万字共12页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802749 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110011375.8 (22)申请日 2021.01.06 (71)申请人江苏东海半导体科技有限公司

显示全部

相似文档

一种多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210200737 U (45)授权公告日 2020.03.27 (21)申请号 20192
2023-08-21 约9.03千字 15页立即下载
一种用于沟槽栅IGBT结构的CMP工艺方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992666 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 20191
2023-06-07 约7.42千字 9页立即下载
一种高纯多晶硅粉清洗工艺.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117416964A (43)申请公布日2024.01.19 (21)申请号202311570666.6 (22)申请日2023.11.22 (71)申请人内蒙古鑫华半导体科技有限公司地址
2024-01-16 约7.47千字 8页立即下载
一种多晶硅的后处理工艺.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875486 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210434391.2 B08B 3/08 (2006.01)
2023-05-16 约9.95千字 8页立即下载
一种多晶硅的加工用灰尘清理结构.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114535178 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210162432.7 B65G 23/04 (2006.01) (22)申请日 2022.02.
2023-05-10 约9.86千字 10页立即下载
一种多晶硅压阻系数测试结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213023334 U (45)授权公告日 2021.04.20 (21)申请号 202021224220.X (22)申请日 2020.06.29 (73)专利权人罕王微电子（辽宁）有限公司
2023-02-24 约8.35千字 10页立即下载
一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820772 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110153724.X (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人珠海市浩辰半导体有限公司
2023-06-06 约6.81千字 6页立即下载
多晶硅锭的制备及其形貌组织的研究.pdf 第卷第期稀有金属 26 6 年月 2002 11 Vol . 26 . 6 N NAL A TAL Nom 2002 ═══════════════════════
2017-07-24 约1.41万字 4页立即下载
多晶硅清洗工艺2.ppt KOH的动力设施要求 Pressure: 3bar Temperature: 20 ℃ Max Flow: 1.5 Nm3/h 碱洗槽： KOH溶液，主要去除制绒后形成的多孔硅反应如下： Si+2KOH+H2O =K2SiO3+2H2 此反应相当激烈红棕色的多孔硅多孔硅的反射率是很低的，但如果不去除，对后道的扩散和丝网印刷不利，电池效率受严重影响。酸洗工位（HF+HCl） HCl 的动力设施要求 Pressure: 3bar Temperature: 20 ℃ Max Flow: 1.5 Nm3/h 一次清洗酸洗槽： HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄
2017-12-12 约3.66千字 50页立即下载
多晶硅的工艺原理.ppt 第一部分 多晶硅工艺原理教学内容及目的使初次接触多晶硅的学生能够对多晶硅的生产工序构成有初步的了解; 初步掌握各生产工序的原理和内容; 初步了解多晶硅生产的装置名称、设备构成了解并掌握多晶硅生产的原料、中间产品和产品的物理、化学和安全特性主要工序目录主工艺 (1)液氯贮存及汽化工序 (2)合成工序这一工序包括氯化氢合成工序和三氯氢硅合成工序 (3)氯硅烷提纯工序这一工序包括粗提纯、精提纯、废体净化和蒸馏釜残液处理工序 (4)多晶硅工序这一工序包括多晶硅制取工序和四氯化硅氢化工序 (5)氢气制备及净化工序 (6)工艺废料处理工序 (7)成品整理工序(包括实验室检验分析
2020-12-18 约1.38千字 57页立即下载
1500吨多晶硅工艺说明.doc 1500吨多晶硅工艺说明 1,制H（H2O=H2+O2）电解得到氢和氧，冷却分离再除氧；干燥以后到贮藏，得到纯氢去三方，氧冷分离去氧仓，最后氧气是瓶装。2，HCL合成（H2+CL2=HCL）两股氢气去混仓，然后引至燃烧枪；氯气也到燃烧枪，合成炉设防爆墙；反应生成氯化氢，空冷降温送下场。为了安全有保障，吸收处理不能忘，盐酸循环吃气相，酸碱中和除氯忙。3，SIHCL3合成（SI+HCL=SIHCL3+SICL4+SIH2CL2+H2+X）硅粉来自硅粉仓，脱水HC去炉旁，二者炉内起反应，三氯氢硅藏中央。5种附品也跟上，处理起来人心伤。干法除尘先上场，湿法紧跟来邦忙，增湿洗涤加反应
2017-12-14 约8.64千字 9页立即下载
多晶硅车间工艺培训.doc 还原氢化工序工艺讲义第一节工序划分及主要设备一、三氯氢硅还原的工序划分单元号工序名称 T1100/T1101 三氯氢硅(TCS)蒸发 T1200/T1201 四氯化硅(STC)蒸发 T100/T101 还原 T200/T201 氢化 T300 硅芯拉制 T400 硅芯腐蚀 T500 破碎、分级 T600 超纯水制取 T700 实验室(分析检测中心) T800/801 钟罩清洗 T900 冷却水循环系统 T1000 HF洗涤二、主要原辅材料及质量要求物质纯度料三氯氢硅 TCS≥99%（B≤0.1ppb;P≤0.1ppb）四氯化硅 STC≥98%
2017-03-05 约6.84千字 24页立即下载
多晶硅生产工艺学..doc 多晶硅生产工艺学绪论一、硅材料的发展概况半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年
2017-01-09 约3.51万字 74页立即下载
多晶硅片切片工艺介绍.ppt 切割原理切片的原理及过程：利用切割钢丝带动砂浆，利用砂浆中SiC微粒与晶棒进行摩擦，达到切割的目的。并不是钢丝切割晶棒，钢丝的摩尔硬度为5.5左右，单晶硅的摩尔硬度为6.5左右，而SiC的摩尔硬度为9.25-9.5左右，因此钢丝是切割不了晶棒的，这也是解释当砂浆流量异常及砂浆中SiC含量过低时容易断线的原因。切割的过程就是将晶棒固定于进给台，进给台按一定的下压速度将晶棒与高速运动的线网接触，利用线网带动砂浆中的SiC切割晶棒，根据不同主辊槽距和钢丝线径将晶棒切割成0.2mm左右厚的硅片。切割原理示意图： 多晶硅片生产流程铸锭切片单晶硅片生产流程粘胶：硅片参数
2017-06-20 约1.19千字 26页立即下载
沟槽IGBT芯片版图结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363252 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110603168.1 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人上海积塔半导体有限公司
2023-06-20 约1.12万字 16页立即下载