一种低热应力、高电性能的同轴双环TSV结构及制备方法.pdf

一种快速制备高热电性能n型Mg3Sb2基材料的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112921205 B (45)授权公告日 2022.06.14 (21)申请号 202110105217.9 C22C 1/04 (2006.01)

2023-06-07 约1.59万字 14页立即下载

一种低热应力的COS结构及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114825033 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110126681.6 (22)申请日 2021.01.29 (71)申请人潍坊华光光电子有限

2023-05-15 约1.2万字 9页立即下载

制备方法对NixCo4-xSb12化合物结构和热电性能的影响.pdf 第35卷第3期稀有金属材料与工程 V01．35，No．3 2006正 3月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING March2006 制备方法对化合物结构 NixC04-xSbl2 和热电性能的影响

2015-09-06 约1.27万字 5页立即下载

一种提高n型碲化铋基热电材料电性能的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114874011 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210604945.9 (22)申请日 2022.05.31 (71)申请人先导薄膜材料（广东）有限公司地址

2023-05-17 约9.9千字 9页立即下载

Ag2Se薄膜的制备及热电性能研究.docx Ag2Se薄膜的制备及热电性能研究摘要：本文以Ag2Se薄膜的制备及其热电性能为研究对象，采用磁控溅射法制备Ag2Se薄膜，对其结构、成分及热电性能进行了研究。结果表明，所制备的Ag2Se薄膜具有良好的热电性能，具有较高的电导率和热电优值，为其在热电领域的应用提供了新的思路。一、引言随着科技的发展，新型功能材料的研究越来越受到关注。Ag2Se作为一种重要的热电材料，其热电性能在热电领域具有广泛应用。然而，目前Ag2Se材料的热电性能仍存在提升空间。因此，研究Ag2Se薄膜的制备工艺及其热电性能，对于提高其应用价值具有重要意义。二、Ag2Se薄膜的制备 本文采用磁控溅射法制备Ag2Se

2025-02-20 约4.54千字 9页立即下载

sb2te3材料的制备与热电性能研究.docx 摘要：热电材料是一种将热能与电能相互转化的功能材料。本文的研究对象是在室温下有良好热电性能的 Sb2Te3纳米粒子。本文采用简单可重复的方法制备出Sb2Te3纳米线，对Sb2Te3纳米线的生长机制进行了研究，并通过Sn掺杂和对晶界浓度调节的方法，提高了材料载流子浓度，实现了材料的热学性能和电学性能提高。研究主要成果如下： (1)以Te纳米线为模板，Sb2Te3纳米线可以通过原子扩散反应制备，通过TEM表征发现线状颗粒由许多更小的纳米颗粒构成。当掺杂Sn后，通过SEM发现Sb2Te3中线状颗粒更加笔直，小的纳米颗粒尺寸更加均一。 (2)Sn掺杂在Sb2Te3晶格中形成了新缺陷S

2024-09-14 约1.22万字 13页立即下载

sb2te3材料的制备与热电性能研究.docx 摘要：热电材料是一种将热能与电能相互转化的功能材料。本文的研究对象是在室温下有良好热电性能的 Sb2Te3纳米粒子。本文采用简单可重复的方法制备出Sb2Te3纳米线，对Sb2Te3纳米线的生长机制进行了研究，并通过Sn掺杂和对晶界浓度调节的方法，提高了材料载流子浓度，实现了材料的热学性能和电学性能提高。研究主要成果如下： (1)以Te纳米线为模板，Sb2Te3纳米线可以通过原子扩散反应制备，通过TEM表征发现线状颗粒由许多更小的纳米颗粒构成。当掺杂Sn后，通过SEM发现Sb2Te3中线状颗粒更加笔直，小的纳米颗粒尺寸更加均一。 (2)Sn掺杂在Sb2Te3晶格中形成了新缺陷S

2024-03-08 约1.09万字 11页立即下载

同轴腔法材料介电性能张量测试技术研究.docx 同轴腔法材料介电性能张量测试技术研究一、引言随着电子科技与材料科学的快速发展，材料介电性能的准确测试显得尤为重要。同轴腔法作为一种常用的材料介电性能测试方法，其测试精度与可靠性得到了广泛认可。本文将针对同轴腔法在材料介电性能张量测试技术方面的研究进行详细探讨，以期为相关领域的研究与应用提供参考。二、同轴腔法的基本原理同轴腔法是一种利用同轴传输线谐振腔体进行材料介电性能测试的方法。该方法通过测量谐振腔体的谐振频率与品质因数，结合传输线理论，推算出被测材料的介电常数、介质损耗等参数。其基本原理是基于电磁场在谐振腔体内的传播与耦合，以及材料对电磁场的影响。三、材料介电性能张量的概念介电性

2025-02-11 约4.17千字 8页立即下载

一种电性能测试温度钳.pdf (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号CN221037719U (45)授权公告日2024.05.28 (21)申请号202323171110.8G01K13/00(2021.01)

2024-05-28 约7.54千字 13页立即下载

电性能测试标准及方法.docx 电性能测试标准及方法 第1章总则 1.1适用范围本标准适用于各类电子元器件、电子设备、电子系统以及相关产品的电性能测试。本标准规定了电性能测试的基本原则、方法和要求，为测试工作提供统一的技术依据。 1.2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T4728.1-2005《电气设备用图形符号第1部分：一般符号》 GB/T2423.1-2008《电工电子产品环境试验第1部分：总则》 GB/T2423.2-2008《电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：

2025-03-25 约7.62千字 16页立即下载

电性能测试标准及方法.docx 电功能测试标准及方法 第一章电功能测试概述 1.1测试目的与意义电功能测试是评估电气设备或材料在电气环境下的功能和可靠性的重要手段。其主要目的在于：验证产品功能：保证产品在设计和生产过程中达到预定的功能指标。质量监控：对生产过程中的产品进行实时监控，保证产品的一致性和可靠性。故障诊断：通过测试发觉产品潜在的问题，提前预防和解决故障。安全评估：评估产品在特定电气环境下的安全性。电功能测试在电气行业具有重要意义，它有助于提高产品品质，保障用户安全和提高产品市场竞争力。 1.2测试范围与适用性电功能测试范围广泛，包括但不限于以下内容：电气设备：如变压器、发电机、开关设备、电力线路等。

2025-06-12 约7.43千字 17页立即下载

pzt基多层铁电薄膜异质结构制备及电性能研究.docx PAGE2 第一章绪论 1.1引言在目前电子产品所拥有的无源器件中，电容器是最重要的无源元件，用量最多，一般约占电路板组装无源器件总数的40-70%。因此，对于电子产品的高度集成、微型化以及有源/无源混合集成技术，针对集成化电容器开展新型高性能电容器材料及其制备技术、高性能电容器的结构设计及制备技术的研究就具有十分重要的科学意义和技术价值。但是，由于电容器结构的复杂性以及功能的多样性导致了电容器电学特性需求多样化，而电容器的电学特性强烈依赖于电介质材料及其制备技术等因素，所以电容器的集成化较为困难。其中，选用合适的电介质材料来制备高比电容值（单位面积电容）的电容器是实现电容器

2024-09-06 约2.59万字 34页立即下载

磁控溅射法制备氮化钛薄膜及其结构与电性能研究的开题报告.docx 磁控溅射法制备氮化钛薄膜及其结构与电性能研究的开题报告一、选题背景氮化钛材料由于其良好的力学性质、化学稳定性和优异的电学性能，在电子器件、太阳能电池、催化剂等领域具有广泛应用。磁控溅射技术是一种重要的制备氮化钛薄膜的方法，其具有较高的制备效率和化学纯度。二、研究目的本研究旨在通过磁控溅射法制备氮化钛薄膜，并对其结构和电性能进行详细的研究，为氮化钛薄膜的实际应用提供基础性理论研究。三、研究内容 1. 磁控溅射法制备氮化钛薄膜的工艺研究，包括制备参数的优化、制备过程的监测和控制等。 2. 对氮化钛薄膜的结构进行分析，并研究其组成、微观形貌和晶体结构等特征。 3. 对氮化钛薄膜进行电性能测

2023-08-15 约小于1千字 2页立即下载

一种强磁电性能石墨烯浆料制备处理工艺.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792585 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202210063708.6 (22)申请日 2022.01.20 (71)申请人马国庆地址 325000 浙江

2023-05-15 约1.12万字 12页立即下载

适于纳米探针电性能测试的SRAM样品制备方法.pptx 适于纳米探针电性能测试的SRAM样品制备方法汇报人：2024-01-21 contents目录引言SRAM样品制备方法概述制备材料选择与处理制备工艺流程设计设备与工具选型及配置质量控制与检测方法实验结果分析与讨论总结与展望 01引言 0102目的和背景随着微电子技术的不断发展，对SRAM样品的制备方法和质量提出了更高要求，以满足纳米级电性能测试的需求。纳米探针电性能测试在微电子领域的重要性日益凸显，对于SRAM（静态随机存取存储器）等微电子器件的性能评估尤为关键。 SRAM样品制备的重要性提供可靠的测试样品高质量的SRAM样品是准确评估其电性能的基础，有助于获得可信的测试数据。揭示器件内在特性

2024-06-10 约3.65千字 33页立即下载