用正电子湮没研究NiAI中的晶体缺陷-物理学报.PDF
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正电子湮没详解.ppt
正电子湮没技术 －原理、实验方法及应用 概述 正电子湮没技术 Positron Annihilation Technique，简称PAT 是一门六十年代迅速发展起来的新学科。 通过测量正电子与材料中电子湮没时所发射出的?射线的角度、能量以及正电子与电子湮没前的寿命，来研究材料的电子结构和缺陷结构。 制样方法简便，适应的材料广泛，通过?射线带出信息有利于现场测量特点，在固体物理、材料科学及物理冶金和化学等领域得到了越来越广泛的应用。 正电子发展历史 1939年狄拉克从理论上预言正电子的存在 1932年安德森，1933年Blackett和Occhian Line从实验上观测到正电子的存在
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用正电子湮没研究纳米碲化铋的缺陷及其对热导率的影响.pdf
用正电子湮没研究纳米碲化铋的缺陷及其对热导率的影响
贺慧芳 陈志权
Positron annihilation studied defects and their influence on thermal conductivity of chemically synthe-
sizedBi Te nanocrystal
HeHui-Fang ChenZhi-Quan
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,207804(2015) DOI: 10.7498/aps.64.207804
在线阅读Viewonline: /10.749
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正电子湮没技术对多铁材料铁磁性能与缺陷的研究.docx
正电子湮没技术对多铁材料铁磁性能与缺陷的研究
背景
多铁材料由于其同时具有铁电性和铁磁性，在信息存储、传感器制备、自旋电子学等领域具有广泛的应用前景。然而，多铁材料的磁电耦合机理和铁磁性能中缺陷的影响机制等问题仍未明确，这直接制约了多铁材料的研究和应用。
正电子湮没技术
正电子湮没技术（Positron Annihilation Spectroscopy，PAS）是一种非常重要的材料缺陷分析手段。该技术通过探测正电子和电子湮没产生的 γ 光谱来研究材料中空位和缺陷的情况。正电子的寿命较短，为 10^-10 ~ 10^-9 s，因此该技术对材料中的空位和缺陷有较高的灵敏度，并且非侵入性，不会对样
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氢和温度对质子辐照硅的正电子获的影响-物理学报.PDF
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核效应分析正电子湮没技术.ppt
由于多普勒展宽谱的能量分辨率较差，我们常用线型参数法来分析多普勒展宽谱的变化。常用的有S和W参数。S参数定义为511KeV峰中央的面积A与峰总计数C之比，而W参数则定义为峰两侧计数B与总计数C之比，即表示为：S=A/CW=B/CS参数及W参数的定义如图所示。S参数反映了低动量电子即价电子或传导电子的动量信息，而W参数反映了高动量电子即芯电子的动量信息。常规正电子实验方法利用放射源发射正电子，其能量一般都较高，而且能量分布很宽。因此只能研究块状材料体内的平均信息。随着半导体技术不断发展，材料的尺寸已越来越小，由三维发展到两维、一微甚至零维。如何研究材料微区的结构信息已变得极为重要。近年来发展的慢
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正电子湮没技术学案.ppt
正电子湮没技术 －原理、实验方法及应用 概述 正电子湮没技术(Positron Annihilation Technique，简称PAT)是一门六十年代迅速发展起来的新学科。 通过测量正电子与材料中电子湮没时所发射出的?射线的角度、能量以及正电子与电子湮没前的寿命，来研究材料的电子结构和缺陷结构。 制样方法简便，适应的材料广泛，通过?射线带出信息有利于现场测量特点，在固体物理、材料科学及物理冶金和化学等领域得到了越来越广泛的应用。 正电子发展历史 1939年狄拉克从理论上预言正电子的存在 1932年安德森，1933年Blackett和Occhian Line从实验上观测到正电子的存在
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电镀纳米镍缺陷的正电子研究.pdf
维普资讯
核 技 术 V0l_2l-No．4
NUCLEARTECHNIQUES April，1998
2
电镀纳米镍缺陷的正电子研究古
， 第蜩 星
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金属合金中缺陷及其复合体的正电子捕获湮没机制的深度剖析.docx
金属合金中缺陷及其复合体的正电子捕获湮没机制的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代工业中，金属合金作为一类关键材料，广泛应用于航空航天、汽车制造、能源、电子等众多领域，对推动各行业的发展起着举足轻重的作用。例如，在航空航天领域，钛合金因其具有高强度、低密度以及良好的耐腐蚀性等特点，被大量用于制造飞机发动机部件和机身结构件，能够有效减轻飞行器重量，提高飞行性能和燃油效率。在汽车制造行业，铝合金凭借其质量轻、成本相对较低、加工性能良好等优势，成为汽车零部件制造的重要材料，有助于实现汽车的轻量化，降低能耗并减少尾气排放。
金属合金的性能与其内部微观结构密切相关，而微观结构中的缺陷，
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用正电子湮没谱学技术表征PDMS-MIL-101
杂化膜
1 2 2∗ 2 1 3 4 3
王胜 杨静 张鹏 曹兴忠 田丽霞 于胜楠 潘福生 姜忠义
1 （东华理工大学 南昌 330013 ）
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目录
正电子湮没谱学视角下CaO添加对Al2O3纳米陶瓷烧结影响的深入研究（1）
内容概要．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
正电子湮没谱学在材料科学中的应用．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4
2.1正电子湮没谱学的基本原理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5
2.2正电子湮没谱学在材料科学研究中的应用．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6
Al2O3纳米陶瓷的制备方法与性能评价．．．．．．．．．．．．．．．．．．．
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第 32 卷第 4 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 32 ,No. 4
2 0 0 4 年 4 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY April , 2004
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