空穴功能层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114583068 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202011295679.3
(22)申请日 2020.11.18
(71)申请人 TCL科技集团股份有限公司
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