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泓域咨询/关于成立刻蚀设计公司实施方案
关于成立刻蚀设计公司
实施方案
xx有限责任公司
报告说明
集成电路的发展除了不断缩小线宽外,其器件结构也趋于复杂,逐步向多层化发展。例如内存DRAM主要朝缩小尺寸进展,并引入凹栅,埋入式字线等3D结构。而D闪存已全面进入3D时代,通过增大堆叠的层数,3DD的层级也从64层,128层,向192层及200层以上发展。
1、DRAM结构微缩与多层化并举
DRAM存储器的存储单元核心结构,可分为深槽电容和晶体管两个部分。DRAM晶体管的微缩进展大部分与逻辑制程类似,对于自对准多重图形和多重曝光依赖逐步加深,需要更多更先进的刻蚀机设备;而电容槽的刻蚀则
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