文档详情

形成材料膜的方法、集成电路器件和制造其的方法.pdf

发布：2023-06-09约3.46万字共36页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013083 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011020787.X (22)申请日 2020.09.25 (30)优先权数据 10-2019-0

显示全部

相似文档

集成电路器件和形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345888 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110535419.7 (22)申请日 2021.05.17 (30)优先权数据 63/025,51
2023-06-19 约4.75万字 52页立即下载
集成电路及其形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345902 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110535130.5 H01L 27/11529 (2017.01)
2023-06-16 约5.12万字 57页立即下载
集成电路及其形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363258 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110530280.7 (22)申请日 2021.05.14 (30)优先权数据
2023-06-16 约8.24万字 69页立即下载
集成电路及其形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363235 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110579205.X H01L 21/768 (2006.01) (22)申请日
2023-06-16 约4.28万字 66页立即下载
集成电路及其形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394274 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110276521.X H01L 21/768 (2006.01)
2023-06-18 约5.94万字 75页立即下载
集成电路及其形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363212 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110157558.0 (22)申请日 2021.02.04 (30)优先权数据
2023-06-21 约9.38万字 75页立即下载
集成电路及其形成方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551472 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210069452.X (22)申请日 2022.01.21 (30)优先权数据
2023-05-07 约4.36万字 46页立即下载
集成电路及其制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114465618 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210039343.3 (22)申请日 2022.01.13 (30)优先权数据 63/137,535 2021
2023-05-06 约2.66万字 28页立即下载
集成电路器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN109585527A (43)申请公布日 2019.04.05 (21)申请号20181
2024-02-05 约3.18万字 37页立即下载
集成电路、DRAM电路及用于形成其的方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380805 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110012540.1 (22)申请日 2021.01.06 (30)优先权数据 16/800,21
2023-06-21 约2.81万字 47页立即下载
集成电路材料及器件物理基础.ppt 2.1 集成电路材料 2.1.1 集成电路材料及其分类 2.1.2 半导体材料的特性 2.1.1 集成电路材料及其分类材料按导电性能分为导体、半导体和绝缘体三类。 集成电路制造中，应用到的材料分类有：导体——铝、金、钙、铜等；半导体——硅、锗、砷化镓、磷化铟等；绝缘体——SiO2、SiON、Si3N4等。 2.1.2 半导体材料的特性半导体材料是集成电路制造的主要材料，它具有以下特性：（1）掺入杂质后，可以明显改变半导体的电导率；（2）受到外界热刺激时，其导电能力发生显著变化；（3）光照可以改变其电导率，称为半导体的光电效应；（4）多种半导体注入电流时会
2018-12-10 约1.6千字 29页立即下载
集成电路封装器件的半开封方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566447 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210151460.9 (22)申请日 2022.02.18 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址
2023-05-08 约7.36千字 8页立即下载
集成电路、存储器阵列和形成其的方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380809 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110259234.8 H01L 27/1157 (2017.01)
2023-06-17 约2.68万字 33页立即下载
集成电路封装件及其形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013153 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011516793.4 H01L 21/50 (2006.01) (22)申请日 2
2023-06-10 约2.02万字 27页立即下载
集成电路芯片及其形成方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883362 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210157930.2 (22)申请日 2022.02.21 (30)优先权数据 63/174,124 2021
2023-05-16 约3.83万字 37页立即下载