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单晶车间基础理论考试试卷C.doc

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单晶车间基础理论考试试卷C

姓名:分数

一填空题(45分,每空1.5分)

1.检查籽晶绳时,应先将重锤取下,使籽晶处于自由状态、观察籽晶吊绳的弯曲状态,观察其是否处于

自由弯曲是否有折痕或毛刺等,且将重锤取下后,不能升降籽晶防止籽晶绳脱槽。

2.进行冷、热检时,要求极限真空在5Pa、漏率0.1Pa/min以下方可开炉。

3.若此时晶棒直径的实际值与目标值有偏差,可以通过多次设定接近目标直径的方法来达到目标直径。并写好交接记录本。

4.用吸尘刷清扫过滤盖,用沾酒精的纸巾檫净密封圈,并检查密封圈是否完全就位,防止密封圈脱槽影响抽空.

5.拉晶时,工艺参数的晶转为8转、埚转为10转、氩气流量50slm,炉内压力2.7KPa。

6.在熔料过程中,要观察硅料的熔化过程,是否有挂边,是否有搭桥,电流值是否稳定,

电压值是否稳定。

7.等径过程中应时常观察炉内单晶生长情况,每隔10分钟对炉内巡视1次,确认有无异常,每隔

1小时对炉内晶体测量一次直径。等径过程中每1个小时做1次拉晶记录。注意观察导流筒与液面之间的距离。

8.硅在元素周期表中属IVA族,原子序数为14,相对原子质量为28..

9.打开温度稳定时,设定温度值要分多次慢降,实际温度相对于设定温度不要大于5度以上,否则会由于功率到零而发出报警。

10.降功率停炉冷却过程中,要分步降低功率,晶转保持5rpm,埚转保持2rpm。

11.若等径起始阶段直径生长不稳定,可以尝试手动待直径稳定后,再切换到自动,但需点击工序参数进入参数修改页,将目标直径的值修改为手动稳定的长度值。

12.等径时ADC2控制拉速.

13.在单晶生长过程中,硅液和石英坩埚等炉内物件会由于高温产生大量硅氧化物(主要成分是SiO,也有少量Si02,呈黄色烟尘状)、杂质挥发物以及挥发性气体。这些气尘粒子飘浮在单晶生长界面周围。当减小氩气流量时,能明显看到硅熔液上方有烟尘翻腾,俗称“冒烟”。

14.热场组装到位后,检查操作屏幕上原点是否为绿色显示,若没有绿色显示则需进行初始化操作。

二、判断题(10分,每题1分)

1.取晶棒时只要使晶棒接触晶棒车即可,不能完全承重于晶棒车上,以免造成籽晶绳弯曲.(×)

2.原料是不能受到污染的,所以炉内的石墨件和炉筒,炉盖一定要打扫干净,至于炉体外表面,因为不会与原料有接触,所以可以不用打扫.(×)

3.因为在加热过程中加热器是震动的,所以要将加热器螺丝拧的很紧,防止因为加热器震动造成加热器螺丝松动脱落,导致打火.(×)

4.在整个等径过程中,埚随比是不变的,只有在拉制8寸和6.5寸调换的时候需要更改.(×)

5.晶棒完全入架后,按住籽晶,用钳子将籽晶从细颈处剪断后,应稳定重锤.(√)

6.在单晶生长过程中如果出现断棱需要回溶处理的,为节省时间,可以将功率开到最大,以最快的速度回溶.只要在回溶过程中注意不要发生跳料即可.(×)

7.用专用工具装好托杆后,一定要拧紧托杆螺丝,防止因松动造成液面晃动.(√)

8.在取晶棒时,为避免籽晶太热,烫坏手指,可以带上隔热手套后直接捏住籽晶.(×)

9.如果确定温度合适,籽晶可以不用预热,直接浸入硅液面内进行引晶.(×)

10.自来水可以直接作为炉体冷却水循环使用.(×)

三、简答题(共45分)

1.简述拉晶过程中的整个工艺流程.(10分)

2.安装热场应注意哪些问题?(10分)

a.热场在安装时,要确保炉腔内部和热场各部件的清洁干净。

b.为避免加热打火,加热器及石墨电极等通电部位与其他不通电的热场不见之间要保留足够安全间隔。

c.加热器螺丝将加热器固定在电极上,石墨螺丝

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