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基于氧化铪的MTM反熔丝单元：结构、特性与应用的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代集成电路领域，存储技术与可编程逻辑技术的发展对于推动电子设备性能提升、功能扩展以及小型化起着至关重要的作用。MTM反熔丝单元作为一种独特的存储与可编程逻辑实现元件，因其具备非易失性、高可靠性以及抗辐射等特性，在众多关键应用场景中占据着不可替代的地位。
从存储角度来看，传统的易失性存储器如静态随机存取存储器（SRAM），掉电后数据丢失，这在许多需要长期保存数据的应用中存在局限性。而MTM反熔丝单元的非易失性特点，使得它在数据存储领域具有显著优势，能够在断电后依然保持数据的完整性，可应用于一次
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