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平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802755 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110137004.4 (22)申请日 2021.02.01 (71)申请人深圳

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