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第1章 常用半导体器件 当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。 1.? N型半导体的多数载流子是电子，因此它应(? )。? A.带负电? B.带正电? C.不带电? 参考答案：C 2.? 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将(? )。? A.变窄? B.变宽? C.不变? 参考答案：B 3.? 二极管的死区电压随环境温度的升高而(? )。? A.增大? B.不变? C.减小? 参考答案：C 4.? 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V的电路是(　　　　)。? 参考答案：C 5.? 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为(? )。? A.最大值为40V，最小值为0V? B.最大值为40V，最小值为+10V? C.最大值为10V，最小值为－40V? D.最大值为10V，最小值为0V? 参考答案：D 6.??稳压管的动态电阻rZ是指(　　　　)。A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值? 参考答案：B ? 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是(? )。? A.PNP管的集电极? B.PNP管的发射极??? C.NPN管的发射极? D.NPN管的基极? 参考答案：B 8.? 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为(? )。? A.NPN型锗管? B.PNP型锗管? C.NPN型硅管? D.PNP型硅管? 参考答案：A 当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。 1.? 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流(? )。? A.反向? B.近似等于零? C.不变? D.增大? 参考答案：B 2.? 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为(? )。? A.发射结反偏，集电结正偏? B.发射结、集电结均反偏? C.发射结、集电结均正偏? D.发射结正偏、集电结反偏? 参考答案：C 3.? 晶体管的电流放大系数是指(　　　　)。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数? 参考答案：B 4.? 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于(　　　　)。A.?B.?C.? 参考答案：B 5.? 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在(　　　　)。A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态? 参考答案：B ? 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为(　　　　)。A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管? 参考答案：B 7.? 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为(　　　　)。A.0V B.＋2V C.－2V D.－1V? 参考答案：C 8.? 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为(　　　　)。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V? 参考答案：A 9.? 如图示放大电路中接线有错误的元件是(　　　　)。A.RL B.RB C.C1 D.C2? 参考答案：B 10.? 放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是(　　　　)。A.适当增加RB2，减小RB1 B.保持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1，减小RB2 D.保持RB2不变，适当减小RB1? 参考答案：C 当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。 11.? 图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取(　　　　)。A.480kW B.120kW C.240kW D.360kW? 参考答案：A 12.? 电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于(　　　　)。A.6V B.0V C.0.6V D.5.3V? 参考答案：A 13.? 某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q需使(　　　　)。A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小? 参考答案：C 14.? 单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的(　　　　)。? 参考答案：A 15.? 对放