存储器芯片的功耗存储器单元的功耗.PPT

由T1管和寄生电容Cs组成。 单管动态基本存储电路 动态随机存储器 了解内容 2. 动态RAM芯片举例 Intel 2116单管动态RAM芯片的引脚和逻辑符号如图。 16Kx1 兼片选信号 动态随机存储器 Intel 2116 芯片存储容量为16Kx1位，需要14条地址输入线，但2116只有16条引脚。 由于受封装引线的限制，只用了A0到A6 7条地址输入线，数据线只有1条(1位)，而且数据输入(DIN)和输出(DOUT)端是分开的，有各自的锁存器。 写允许信号WE为低电平时表示允许写入，为高电平时可以读出。 需要3种电源。 类似芯片：2164，3764，4164等DRAM芯片。 动态随机存储器 x x 214=16x1024=27x27 128x128=16Kx1 动态随机存储器 动态基本存储电路所需管子数目比静态要少，提高了集成度，降低了成本，存取速度快。 由于要刷新，需增加刷新电路，外围控制电路比较复杂。 静态RAM尽管集成度低些，但静态基本存储电路工作较稳定，也不需要刷新，所以外围控制电路比较简单。 究竟选用哪种RAM，要综合比较各方面的因素决定。 动态随机存储器 ROM存储元件可看作是一个单向导通的开关电路。 当字线上加有选中信号时: 如果电子开关Ｓ是断开的，位线Ｄ上将输出信息１； 如果Ｓ是接通的，则位线Ｄ经T1接地，将输出信息0。 只读存储器(ROM) 1、ROM存储信息的原理和组成 了解内容 与RAM相似，ROM由地址译码电路、存储矩阵、读出电路及控制电路等部分组成。 只读存储器(ROM) 不可编程掩模式MOS ROM又称为固定存储器。 由器件制造厂家根据用户事先编好的机器码程序，把 0、1 信息存储在掩模图形中而制成的ROM芯片。 这种芯片制成以后，它的存储矩阵中每个MOS管所存储的信息0或1被固定下来，不能再改变，而只能读出。 如果要修改其内容，只有重新制作。 只适用于大批量生产，不适用于科学研究。 ROM存储器分类 1. 不可编程掩膜式MOS只读存储器 为克服掩模式MOS ROM芯片不能修改内容的缺点，设计了可编程只读存储器PROM (Programmable ROM)。 可编程只读存储器出厂时各单元内容全为0，用户可用专门的PROM写入器将信息写入，这种写入是破坏性的，即某个存储位一旦写入1，就不能再变为0，因此对这种存储器只能进行一次编程。 根据写入原理PROM可分为两类：结破坏型和熔丝型。 2. 可编程存储器 ROM存储器分类 PROM芯片虽然可供用户进行一次修改程序，但有其局限性。 为便于研究工作，试验各种ROM程序方案，研制了可擦除、可再编程的ROM，即EPROM（Erasable PROM）。 3. 可擦除、可再编程的只读存储器 EPROM芯片出厂时，是未编程的。 EPROM中写入的信息有错或不需要时，可用两种方法擦除原存的信息。 ROM存储器分类 利用专用紫外线灯对准芯片上的石英窗口照射10-20分钟，即可擦除原写入的信息，以恢复出厂的状态，经过照射后的EPROM，就可再写入信息。 写好信息的EPROM为防止光线照射，常用遮光纸贴于窗口上。 这种方法只能把存储的信息全部擦除后再重新写入，它不能只擦除个别单元或某几位的信息，而且擦除的时间也较长。 ROM存储器分类 采用金属-氮-氧化物-硅（MNOS）工艺生产的MNOS型PROM，是利用电来改写的可编程只读存储器，即EEPROM，能解决上述问题。 EEPROM存取速度慢，完成改写程序需要较复杂的设备，现在正在迅速发展高密度、高存取速度的EEPROM技术。 ROM存储器分类 两个重要问题： 如何用容量较小、字长较短芯片，组成微机系统所需的存储器； 地址线根数取决于芯片容量。 存储器与CPU的连接方法及应注意问题。 存储器的连接 用1位或4位的存储器芯片构成8位的存储器，可采用位并联的方法。 存储器芯片的扩充 1. 位数的扩充 用8片2Kx1位的芯片组成容量为2Kx8位的存储器，各芯片的数据线分别接到数据总线的各位，而地址线的相应位及各控制线，则并联在一起。 2Kx1 存储器芯片的扩充 用2片 1Kx4 位的芯片，组成 1Kx8 位的存储器。 一片芯片的数据线接数据总线的低4位，另一片芯片的数据线则接数据总线的高4位。 两片芯片的地址线及控制线则分别并联在一起。 存储器芯片的扩充 当扩充存储容量时，采用地址串联的方法。 要用到地址译码电路，以其输入的地址码来区分高位地址，而以其输出端的控制线来对具有相同低位地址的几片存储器芯片进行片选。 地址译码电路是一种可以将地址码翻译成相应控制信号的电路。有2-4译码器，3-8译码器等。 2. 地址的扩充 存储器芯片的扩充 例：用4片16Kx8位的存储器芯片组成64Kx8位存储