20VN沟道增强型MOS场效应管.PDF

9926 20VN沟道增强型MOS场效应管 R (ON),Vgs@1.8V, Ids@2.0A=75mΩ DS R (ON),Vgs@2.5V, Ids@3.5A=38mΩ DS R (ON),Vgs@4.0V, Ids@4.5A=30mΩ DS R (ON),Vgs@4.5V, Ids@4.5A=28mΩ DS R (ON),Vgs@10V, Ids@5.0A=25mΩ DS S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 SOP-8 注：图中D1、D2是导通的。 绝对最大额定值 （T =25℃，除非另有注明） A 参数 符号 最大值 单位 漏源极电压 VDS 20 V 栅源极电压 VGS ±10 V T =25℃ 6 A 连续漏电流 ID T =70℃ 4.2 A A 脉冲漏电流 IDM 20 T =25℃ 2 A 功耗 D W T =70℃ 1.28 A 温度范围 T ,T -55~150 ℃ J STG 热特性 参数 符号 典型值 最大值 单位 最大管结温度 T≤10S 56 62.5 ℃/W RθJA 最大管结温度