DG6N60 产品概述General Description 主要参数MAIN .PDF

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics TechnologyCo.,Ltd DG6N60 N沟道增强型场效应晶体管 版本号 N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 201603-A 产品概述 General Description DG6N60是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东晨电子的相关专利技术，采用自对准平面工艺及先进的 终端耐压技术，降低了导通损耗，提高了开关特性，增强了雪崩耐量。该产品能应用于多种功率开关电 路，使得电源能效更高，系统更加小型化。 DG6N60isanN-channelenhancementmodeMOSFET,which isproduced usingDongchen Electronics’s proprietary.Theself-alignedplanarprocess andimproved terminaltechnology reducetheconduction loss,improve switchingperformanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor canbe used invarious power switching circuitfor higherefficiency andsystemminiaturization. 符号 Symbol 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS VDSS 600 V ID 6.0 A RDS(ON) 1.5 Ω Crss 11 pF 封装 Package 86-510 1 /13 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics TechnologyCo.,Ltd 绝对最大额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25℃) 参数名称 符号 数值 单位 Parameter Symbol Value Unit 漏极-源极直流电压 VDSS 600 V Drain-SourceVoltage 连续漏极电流 Tc=25℃ 6* ID A ContinuesDrainCurrent