一种低功率半导体元器件及其基本电路.pdf

半导体元器件的基本知识.ppt 5.1半导体二极管 5.2晶体管 5.3晶闸管 ;考试要求 1.了解半导体二极管单向导电性、伏安特性、主要参数。 2.会用万用表判别二极管的管脚极性及好坏。 3.理解三极管的电流放大作用。 4.会用万用表判别三极管的管脚及管脚极性。 5.掌握共发射极放大电路的工作原理。 6.理解三极管开关电路的工作原理。 ;5.1半导体二极管;1.1半导体器件及其特性;〔一〕本征半导体 结构特点;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;(二)杂质半导体;2.P型半导体 在

2025-05-12 约1.3千字 52页立即下载

一种半导体元器件分类收集机构.pdf (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218531887 U (45)授权公告日 2023.02.28 (21)申请号 202222482236.6 (22)申请日 2022.09.19 (73)专利权人广东歌得智能装备

2023-03-03 约1.1万字 14页立即下载

chapter14半导体元器件.ppt 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数二极管共阴极或共阳极联结时如何判断二极管的状态？ 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 4.工作电路 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1

2016-12-06 约字 53页立即下载

第1章了解半导体元器件.ppt 3. 了解稳压二极管、光电二极管、发光二极管及激光二极管的特性及应用； 4. 了解三极管的基本结构、特性曲线，掌握其电流分配与放大原理，并能根据具体要求选择符合功能条件的三极管； 5. 了解晶闸管的结构及其工作原理，掌握其伏安特性曲线。 1.1 半导体及PN结 1.2 半导体二极管 1.3 几种常见的特殊二极管 1.4 半导体三极管 1.5 晶闸管实践应用小结 1.1.1 半导体的基本知识 1.1.2 PN结 1.概念自然界的物质，根据物体导电能力（电阻率）的不同，可划分为：导体绝缘体 半导体 2.半导体的特点

2015-09-09 约4.71千字 64页立即下载

项目一常用半导体元器件任务一半导体基本知识.ppt 单击此处添加大标题内容晶体管的结构和符号结构和符号晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把两块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，三个区引出相应的电极，分别为基极b、发射极e、集电极c。在电路中常用“V、VT或Q”加数字表示，三极管具有电流放大作用。晶体管的图形符号如图6-7b所示，符号中的箭头方向表示发射极及发射结正向偏置时的电流方向。2．晶体管三极管外形图6-8几种常见的晶体管的外形结构三极管分类(1)按材料分类三极管按材料可分为：硅三极管、锗三极管。(2)按导电类型分类三极管按导电类型可分为：PNP型和NPN型。锗三极管多为PNP型，硅

2025-03-24 约4.12千字 49页立即下载

《半导体集成电路》课件——第三章：集成电路基本元器件.pptx 1.基本CMOS静态门电路主讲人：目录应用实例CMOS的基本概念1CMOS静态门电路的结构2工作原理3电学特性45 CMOS的基本概念一 CMOS代表互补金属氧化物半导体，是一种集成电路技术，使用NMOS和PMOS晶体管的组合来实现逻辑功能。CMOS技术的优点低功耗高噪声容忍度高集成度 MOS反相器的结构二在这两个晶体管的中间连接一个输出节点。当输入信号变化时，根据PMOS和NMOS的导通状态，输出信号也随之变化。CMOS静态门电路PMOS晶体管NMOS晶体管工作原理三 CMOS静态门电路的工作原理可以通过输入信号的不同状态来理解参考例图电学特性四在静态状态下，CMOS电路几乎不消耗

2025-05-13 约3.24千字 91页立即下载

功率半导体核心元器件项目评价分析报告.pptx 功率半导体核心元器件项目评价分析报告;目录;PART;功率半导体市场持续增长，技术不断创新。;通过项目实施，提高功率半导体核心元器件技术水平。;;PART;增长趋势;;功率半导体的主要客户群体包括新能源汽车制造商、电力设备制造商、工业自动化设备等制造商。;PART;选择已经过市场验证、具备较高成熟度的技术路线，确保项目技术可行性和稳定性。;在功率半导体材料、器件结构、制造工艺等方面取得重要突破。;;PART;实施进度安排及节点控制;;生产风险;PART;建设投资;;反映项目投资的财务盈利能力，指标越高表示项目经济效益越好。;PART;;;项目的实施将直接创造大量的就业机会，包括研发、生产、销售

2025-03-24 约小于1千字 31页立即下载

功率半导体核心元器件项目招商引资方案.pptx 功率半导体核心元器件项目招商引资方案;目录;01;行业发展历程;功率半导体广泛应用于工业控制、消费电子、新能源及智能网联等领域，市场需求强劲。;;项目定位;02;;;;;03;;;提供企业所得税减免、增值税返还等政策支持。;根据市场需求和客户订单情况，合理规划产能规模和布局。;04;确定功率半导体核心元器件项目品牌在市场中的独特定位，凸显品牌优势。;;客户群体定位与需求分析;;05;建立严格的供应商选择、评估和管理机制，确保原材料供应的质量和稳定性。;生产制造过程质量控制;建立全面的成本核算体系，分析各项成本构成，寻找降低成本的途径。;团队组建与扩充;06;;市场竞争格局风险评估;技术人才培养

2025-04-25 约小于1千字 33页立即下载

功率半导体核心元器件项目商业计划书.pptx 功率半导体核心元器件项目商业计划书;;01;产业链结构;;;国家出台了一系列政策，鼓励功率半导体产业的发展，如“中国制造2025”、“新基建”等。;02;高性能功率半导体器件;;生产工艺流程简述;针对项目中的核心技术和创新点，积极申请国内外专利，形成完善的知识产权保护体系。通过合理的专利布局，提高项目的技术壁垒和市场竞争力。;03;市场定位;营销策略制定及执行方案;根据市场需求和客户分布，积极拓展销售渠道，包括直销、代理、分销等多种方式。;品牌塑造和推广计划;04;供应商开发;生产流程优化;;建立专业的售后服务团队，为客户提供及时、专业的技术支持和解决方案。;05;;组织架构;;员工培训计划

2025-04-16 约小于1千字 33页立即下载

一种功率半导体器件驱动保护电路.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213152022 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202021177333.9 (22)申请日 2020.06.22 (73)专利权人株洲中车时代半导体有限公司

2023-03-01 约1.7万字 16页立即下载

《电子元器件》4半导体器件.ppt 4.5　晶闸管 2.双向晶闸管双向晶闸管（全称双向三极晶闸管）只用一个控制极，可以控制晶闸管的正向或反向导通。它是一种理想的交流开关器件，可广泛用在交流电动机、交流开关、交流调速和交流调压等电路中，如图4-5-5所示。 4.5　晶闸管 4.5　晶闸管它的主电极T1、T2之间无论加正向电压还是加反向电压，即其控制极G的触发电压无论是正向还是反向，它都能被触发导通，如图4-5-6所示为双向晶闸管的工作过程。双向晶闸管广泛应用于变频、调压、调温、调光、调速、电扇、洗衣机、空调控制电路和其他控制电路中。 4.5　晶闸管 4.5　晶闸管 3.可关断晶闸管当两极加负触发信号时，可使晶闸管能自动关断

2020-06-30 约1.79万字 105页立即下载

电子行业半导体元器件与集成电路方案.doc 电子行业半导体元器件与集成电路方案 ThetitleElectronicIndustry:SemiconductorComponentsandIntegratedCircuitSolutionsreferstoaspecializeddomainwithintheelectronicssectorthatfocusesonthedesign,manufacturing,andapplicationofsemiconductorcomponentsandintegratedcircuits.Thisfieldiscrucialinvariousindustries,includingconsum

2025-04-17 约1.2万字 17页立即下载

一种沟槽型半导体功率器件及其保护结构.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114537890 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210106368.0 (22)申请日 2022.01.28 (71)申请人常州满旺半导体科技

2023-05-07 约1.72万字 20页立即下载

一种功率半导体器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112820645 B (45)授权公告日 2022.07.05 (21)申请号 202011637491.2 H01L 29/423 (2006.01) (22)申请日 202

2023-06-05 约2.47万字 24页立即下载

一种半导体功率器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823890 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110116504.X H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2021.01

2023-05-15 约1.06万字 11页立即下载