CMOS模拟集成电路设总复习教程.ppt
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CMOS模拟集成电路设计;总复习;考试题型;1.MOS器件原理
2.电流镜
3.带隙基准
4.反相器(三种类型)
5.差分放大器
6.共源共栅放大器
7.输出放大器
8.运算放大器;;;继续增大VGS可使形成的反型层增宽(N型导电沟道),将源区和漏区连接起来。VGS越大,反型层越宽, 源漏间的导电能力越强。;器件导通以后,此时在漏源之间加上电压VDS便会产生漏极电流 ID , 随着VDS的增加ID增加。;MOSFET的工作原理—输入、输出特性曲线;MOS管的大信号模型;MOS管的大信号模型;MOS管的小信号模型;1.MOS器件原理
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4.反相器(三种类型)
5.差分放大器
6.共源共栅放大器
7.输出放大器
8.运算放大器;输出放大器;电流漏负载源极跟随器;;;;1.MOS器件原理
2.电流镜
3.带隙基准
4.反相器(三种类型)
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8.运算放大器;运算放大器的性能指标;运算放大器的性能指标;两级运放设计实例;两级运放设计实例;两级运放设计实例;两级运放设计实例;两级运放设计实例;两级运放设计实例;两级运放设计实例
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