输出管脚的静电保护电路.pdf

静电保护电路及芯片的静电保护网络.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112968437 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202110356364.3 (56)对比文件

2023-06-06 约2.45万字 21页立即下载

《静电保护器》课件.ppt 静电保护器静电保护器是一种重要的电子元件，用于保护敏感的电子设备免受静电放电(ESD)的损坏。静电产生的原因两个不同材料物体相互摩擦时，电子会从一个物体转移到另一个物体。当两个带静电的物体接触时，静电荷会从一个物体转移到另一个物体。当一个带电物体靠近一个不带电物体时，会感应产生静电荷。环境温度的变化也会导致静电的产生。静电的危害损坏电子设备静电放电会损坏敏感的电子元件，导致设备故障或永久性损坏。例如，静电放电可能导致芯片失效、电路板短路或数据丢失。安全隐患静电放电可能导致火花或爆炸，尤其是在易燃易爆环境中，例如油气田、化工厂或实验室。生产效率降低静电放电会影响生产过程的稳定性和可靠性，例如

2025-02-22 约3.9千字 26页立即下载

雷击和静电保护.pdf Overvoltage Protection Introduction The Race is On! Overvoltage Protected Protector Circuit Overvoltage Event

2018-05-19 约2.14万字 24页立即下载

静电保护技术.doc 静电保护技术一、静电的产生、放电与引燃 1、静电产生的原因由于不同物质使电子脱离原来的物体表面所需要的功(称为逸出功或脱出功)有所区别，因此，当它们两者紧密接触时，在接触面上就发生电子转移。逸出功小的物质易失去电子而带正电荷，逸出功大的物质增加电子则带负电荷。各种物质逸出功的不同是产生静电的基础。静电的产生与物质的导电性能有很大关系。阻率越小，则导电性能越好。根据大量实验资料得出的结论：电阻率为1012Ω.cm的物质员易产生静电，而大于1016Ω.cm或小于109Ω.cm的物质都不易产生静电。如物质的电阻率小于109Ω.cm，因其本身具有较好的导电性能，静电将很快泄漏。但如汽油、苯、乙

2017-03-20 约2.2万字 19页立即下载

静电保护电路、集成电路及静电泄放方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394762 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 20201

2023-06-17 约1.29万字 11页立即下载

静电保护原理和设计.docx 静电保护原理和设计一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。但是由于理论性太强，如果前面那些器件理论以及snap-back理论不懂的话，这个大家也不要浪费时间看了。任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。静电，通常都是人为产生的，如生产、组装、

2016-11-27 约6.88千字 16页立即下载

静电保护应用举例.pdf 电路保护方案提供商 静电保护应用举例尚卫 12/20/2007 北京华卫睿泰电子技术发展有限公司电路保护方案提供商对高速到极高速信号线的保护应用举例- Universal Serial Bus

2017-05-18 约2.22万字 15页立即下载

一种静电保护器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345887 B (45)授权公告日 2021.11.30 (21)申请号 202110892121.1 (56)对比文件 (22)申请日 2021.08.04

2023-06-21 约9.73千字 9页立即下载

利用ISE_TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路.doc

2017-11-13 约字 10页立即下载

先进集成电路中静电保护设计的研究的中期报告.docx 先进集成电路中静电保护设计的研究的中期报告摘要：随着集成电路技术的发展，静电放电（ESD）的不断加剧已成为导致集成电路故障和损坏的重要因素。为了解决这一问题，本文研究了静电保护设计在先进集成电路中的应用。首先，介绍了ESD的定义、成因和危害。然后，详细讨论了ESD保护设计的基本原理和设计方法。最后，通过对已有研究成果的分析和总结，对ESD保护设计在先进集成电路中的研究方向做出了展望和建议。关键词：静电放电；保护设计；集成电路 1.研究背景随着集成电路技术的不断发展，其在各个领域中的应用越来越广泛。然而，随着集成度的提高和工艺尺寸的缩小，集成电路在运行过程中遇到了越来越多的静电放电问题。

2024-04-26 约1.37千字 3页立即下载

1.8V工艺跨电源域静电保护电路设计技术研究.docx 1.8V工艺跨电源域静电保护电路设计技术研究一、引言随着集成电路技术的快速发展，尤其是1.8V工艺的普及，电路设计中的静电保护问题变得越来越重要。静电保护电路（ESD，Electro-StaticDischarge）在电路设计中起着至关重要的作用，其作用是防止静电对集成电路产生破坏性的影响。尤其是在跨电源域的环境下，由于电压的差异和电路的复杂性，静电保护电路的设计显得尤为重要。本文将针对1.8V工艺下跨电源域静电保护电路设计技术进行研究，旨在提高电路的稳定性和可靠性。二、背景及意义随着集成电路的集成度不断提高，电路的电压逐渐降低，但静电对电路的影响却不容忽视。静电保护电路的设计对于提高

2025-06-06 约4.54千字 9页立即下载

功率LED静电保护方法研究.doc 浙江大学研究生读书报告记录表学院信电系座机电话号码培养类型硕士生王廷宇姓名朱大中 2008-11-17 读书报告状态学科功率LED静电保护方法研究静电损伤是影响光电子器件稳定性的主要原因之一，对功率LED也不例外。大功率LED的静电损伤主要是由局部电流密度过大引起的，当前LED的静电防护主要基于：为LED芯片并联一个电路，如二极管提供泄流限压的作用；改进LED芯片的设计，改善电流横向分布，避免局部电流密度过大产生损伤。其方法主要有：在GaN基LED芯片中集成GaN肖特基二极管，该设计虽较大地提高了器件的耐静电压强度，但同时会损害器件的其他性能。在GaN

2017-06-03 约小于1千字 2页立即下载

USB3.0端口静电保护设计考虑.doc USB3.0端口静电保护设计考虑当USB2.0在1999年面世时，其480Mbps半双工差分信道就对设计人员实现静电放电（electrostatic discharge，ESD）保护带来了艰难的挑战，因为当时的低电容瞬变电压抑制器（Transient Voltage Suppressor，TVS）的寄生电容高达1～1.2pF。随后推出的USB 3.0或超高速（super Speed）USB接口，不但保留了一样的物理2.0接口，而且由于增加了两个5Gbps双单工差分对（一个Tx对和一个Rx对），保护问题也变得复杂化。带宽的迅速增加对连接器构成了另一种保护挑战：芯片组接口速度增加了而硅尺寸却

2017-09-04 约2.58千字 5页立即下载

ESD静电保护元件阵列RLSD32A031.pdf All data is subject to change,Please check our data sheets at www ruilon com for updates. ?2012 RuiLong Yuan,Inc. ESD 01 ULTRA LOW CAPACITANCE TVS/ESD ARRAY The RLSD32AXX1LC and RLSD32AXX1LV Series are ultra low capacitance transient voltage suppressor arrays, designed to protect applications

2017-04-12 约7.32千字 5页立即下载

ESD静电保护--HBM介绍.pdf ESD静电保护--HBM介绍开头还是把几个主要的模型列一下，大家回忆一下。然后我们针对每种模型分别介绍一下各个标准下的测量方法今天我们先介绍HBM人体模型：人体模型是使用最广泛的模型，它的标准也比较多，列于下面。人体模型的原理图也放一下，大家回忆一下。 HBM模型的发展历史： ESDASTM5.1-2001和EIA/JESD22-A114-BA是人体模型的工业标准。 HBM测量方法：定义好加应力的管脚，接地的管脚，以及需要悬空的针脚要求： PIN-1对接地的VSS加压的时候，其它管脚需要悬空，以此类推，直到所有PIN都对VSS加压过；类似上面的，各个针脚再对Power管脚分

2024-12-19 约1.55千字 10页立即下载