基于n-GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管.pdf

AIGaN GaN异质结场效应晶体管特性研究.ppt The Characteristic research of AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors 专业：光学工程蒋亚兰 6121203004 GaN材料的性质宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好高的击穿电场、高的电子饱和迁移率三角形量子阱增强了对 2DEG 的限制效应，增加最大 2DEG 浓度高2DEG 浓度可改善电学性质，包括提高 2DEG 迁移率和有效降低异质结构方块电阻。 Typical AIGaN/GaN heterostructures AIGaN/GaN HFET的工作

2018-05-06 约小于1千字 13页立即下载

GaN基功率型微波双异质结构场效应晶体管的技术发展.pdf GaN基功率型微波双异质结构场效应晶体管的技术发展 S．I．Petrov~,A．N．Alexeev1，D．M ．Krasovitskyz,V．P．Chaly (I．SemiTEq股份公司，俄罗斯圣彼得堡； 2．Svetlana—Rost股份公司，俄罗斯圣彼得堡) 摘要：有关结果表明，在氨分子柬外延 STE3N2系统中，以极高的温度 (1100—1150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为

2017-09-08 约1.16万字 5页立即下载

N沟道增强型功率场效应晶体管.PDF DH840 N沟道增强型功率场效应晶体管 1、概述与特点 DH840是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管。主要用途：AC-DC开关电源、DC-DC 电源转换器、高压H桥PWM马达驱动等。其特点如下： ●导通电阻低 ●低栅极电荷 ●开关速度快 ●低反向传输电容 ●100%单脉冲雪崩能量筛选测试 ●封装形式：TO-220

2017-08-02 约6.47千字 5页立即下载

GaN场效应晶体管的TCAD研究的开题报告.docx AlGaN/GaN场效应晶体管的TCAD研究的开题报告一、研究背景和意义随着半导体器件要求功率密度、速度等性能不断提升，研究新型的功率半导体器件已经成为当下研究热点之一。AlGaN/GaN场效应晶体管（FET）是一种全新的高功率、高速和高温功率半导体器件，具有优异的电学和物理特性，广泛应用于电子通信、雷达、无线电等领域。AlGaN/GaNFET具有高迁移率电子和高饱和电流，使得其输出功率密度高，而且还可以工作在高温环境下，对于电子设备的高功率、高速、高频等要求及其它领域均有广泛的应用前景。因此，研究AlGaN/GaNFET的性能优化和可靠性分析已经成为电子器件领域的重要研究课题。二、研究

2024-04-04 约1.56千字 3页立即下载

氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551584 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210424332.7 H01L 21/336 (2006.01)

2023-05-06 约1.16万字 11页立即下载

场效应晶体管.ppt 4.1 JFET;11.2.1 数字投音器;学习重点;引入－ JFET的工作特点;引入－ JFET的工作特点;一、JFET结构－N沟道;一、JFET结构－P沟道;导电沟道事先已存在;导电沟道事先已存在; 能够控制导电沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道; 能够控制导电沟道;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;三、特性曲线－转移特性;三、特性曲线－输出特性;三、特性曲线－输出特性;四、JFET主要参数

2019-05-06 约小于1千字 23页立即下载

亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究.PDF 第25卷第2期红外与毫米波学报 Vo1．25，No．2 2006年4月 J．InfraredMillim．Waves April，2006 文章编号：1001—9014(2006)02—0090—05 亚 50nm 自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究

2017-08-01 约1.64万字 5页立即下载

场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823860 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110110414.X (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人苏州大学地址 215000 江

2023-05-16 约2.55万字 26页立即下载

Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析的开题报告.docx Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析的开题报告 1.研究背景现代半导体器件是电子信息技术的支撑，其制备技术和性能优劣对整个电子信息行业的发展和科学研究起到了至关重要的作用。现阶段，半导体器件的研发主要集中在功率器件、光电探测器件、微电子学器件等领域。其中，场效应晶体管是微电子学器件中应用最广泛的一类半导体器件。目前，研究人员主要关注的是低维半导体晶体管，基于低维结构的晶体管，可以实现应变控制、量子点控制和单电子效应等功能。而作为低维结构的一种，Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管也成为半导体器件研究的热点。 2.研究目的本研究的主要目的是制备Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管，并对其进行

2024-05-10 约小于1千字 2页立即下载

超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力.pdf 超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性刘畅卢继武吴汪然唐晓雨张睿俞文杰王曦赵毅 Gatelengthdependenceofhotcarrierinjectiondegradationinshortchannelsilicononinsulatorplanar MOSFET LiuChang LuJi-Wu WuWang-Ran TangXiao-Yu ZhangRui YuWen-Jie WangXi Zhao Yi 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,167305(2015)

2019-02-03 约3.28万字 8页立即下载

场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823869 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210105962.8 H01L 21/28 (2006.01) (22)申请日 2022.01.

2023-05-17 约2.39万字 28页立即下载

场效应晶体管的p型和n型结构.pdf 场效应晶体管的p型和n型结构 P型和N型场效应晶体管的结构和工作原理 场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种利用电场效应来控制沟道电阻和电流的半导体器件，属于电压控制型器件，具有输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成等优点。场效应晶体管根据沟道的载流子类型和栅极的结构，可以分为P型和N型两种，本文将介绍它们的结构和工作原理，主要包括以下几个方面： -P型和N型场效应晶体管的结构特点； -P型和N型场效应晶体管的工作模式和状态； -P型和N型场效应晶体管的输出特性和转移特性； -P型和N型场效应晶体管的应用领域和优缺点。一、P型和N型场

2024-12-05 约2.03千字 3页立即下载

2019-05-06 约3.66千字 82页立即下载

《场效应晶体管》课件.ppt 场效应晶体管欢迎学习场效应晶体管课程！场效应晶体管是现代电子技术的重要组成部分，它利用电场效应控制电流，是现代集成电路的核心元件。本课件将系统介绍场效应晶体管的基本概念、类型、特性及应用，帮助您深入理解这一关键电子器件的工作原理及其在现代电子技术中的重要地位。课程目标1掌握基本概念理解场效应晶体管的基本工作原理，掌握电场控制电流的核心机制，区分场效应晶体管与双极型晶体管的本质区别。2熟悉主要类型系统学习结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的结构特点、工作原理及应用范围。3理解电路应用掌握场效应晶体管在放大电路、开关电路、集成电路中的应用原理，能够分析和设

2025-03-25 约1.9万字 10页立即下载

场效应晶体管原理.pdf 场效应晶体管原理嘿，朋友们！今天咱来聊聊场效应晶体管原理，这玩意儿可有意思啦！你看啊，场效应晶体管就像是一个特别会控制水流的小闸门。电流就好比水流，而这个小闸门能决定让多少水流过去。它有三个极，源极、漏极和栅极。源极呢，就像是水的源头，漏极就是水流出去的地方，那栅极可就厉害了，它就像是控制闸门开关的把手。当栅极上没有电压的时候，就好像把手没动，闸门关得紧紧的，电流不容易通过，这就是截止状态。可要是在栅极上加了合适的电压呢，嘿，那就像把手轻轻一转，闸门打开了，电流就能欢快地流过去了，这就是导通状态。这和我们生活中的很多事情也挺像的呀！比如说，你家里的水龙头，你不拧开它，水就

2024-12-04 约小于1千字 2页立即下载