SJT 10042-1991半导体集成电路CT54LS00/CT74LS00型四2输入与非门.pdf

SJ中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 10042 --91电子元器件详细规范半导体集成电路TTL电路(一)1991-07-01实施1991-04-08发布中华人民共和国机械电子工业部发布 中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CT54LS00/CT74LS00型四2输人与非门Detail specification for electronic componentsSJ/T 10042-91Semiconductor integrated circuitCT54LS00/CT74LS00 quadruple2-input positive-NAND gate本规范规定了半导体集成电路CT54LS00/CT74LS00型四2输入与非门质量评定的全部内容。本标准符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB/T12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》的要求。1991-07-01实施中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准 SJ/T 10042---91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的依据：GB4589.1《半导体器件分立器件和SJ/T 10042-91集成电路总规范》GB/T12750《半导体集成电路分规范(不包括混合电路）》CT54LS00/CT74LS00型四2输入与非门详细规范订货资料：见本规范第7章。1机械说明2简要说明外形依据：GB7092《半导体集成电双极型门电路路外形尺寸》。半导体材料：硅外形图：GB7092封装：空封、非空封D型5.3条及5.3.1条逻辑图、功能表：见本规范第11章。品种：J 型5.4条及5.4.1条P型5.5条及5.5.1条型号环境0~70℃F型-55~125℃（温度5.1条及5.1.1条(C)(M)封装形式引出端排列：陶瓷直插(D)CT54LS00MD黑瓷直插(J)CT74LS00CJCT54LS00MJ1A14Vcc182134B塑料直插(P)CT74LS00CP1Y3124A多层陶瓷扁平(F)CT54LS00MF2A44Y2BC5103B2Y693AGNDO783Y引出端符号名称见本规范第11.1条。标志：按GB4589.1第2.5条及本33质量评定类别规范第6章。I,IA,IB,IC2- SJ/T 10042-914极限值（绝对最大额定值）若无其他规定，适用于全工作温度范围。数值条款号参数符号A位最小最大54- 55 1254.1c工作环境温度Tamb740704. 2 贮存温度Tac- 651504. 3电源电压Vecv7-4.4输入电压Viv7-多发射极晶体管4. 5 Vnv5. 5输入端间的电压5电工作条件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。5.1电工作条件若无其他规定，适用于全工作温度范围。数值条款号参数符号位单最小大最544.55. 55.1.1电源电压Vec.v14.755. 255. 1.2ViH输入高电平电压2V一540.75. 1. 3v输入低电平电压Vu.740. 85.1.4输出高电平电流1oH-400μA5445. 1. 5输出低电平电流lot.mA7485.2电特性若无其他规定，适用于全工作温度范围。3 SJ/T 10042—91规范值特性和条件条款号符号单位试验最小最大542. 51输出高电平电压A35. 2.1Vcc=最小VH=2VVoHVA3a742. 7Vu=最大loH=400μAA3b54|1oL=4mA0. 4输出低电平电压A35. 2. 2Vcc=最小 VH=2V0. 4loL=4mAVotA3a74Vn=最大A3bloL= 8mA0. 5A3输入钳位电压5. 2. 3VikVA3a-1. 5 Vcc=最小Iik = -18mAA3bA3输入高电平电流5.2.4ItH20μAA3aVc=最大VtH = 2. 7VA3bA3输入低电平电流 in.5. 2. 5 0. 4mAA3aVcc 最大Vn=0. 4VA3bA3最大输入电压下的输入电流5. 2. 610.1.A3amAVcc=最大Vi=7VA3bA3输出短路电流5. 2.71os 20-100mAA3aVcc=最大A3bIccHA31.6电源电流5.2.8A3amAVcc=最大输出端开路Iccl.4.4A3b传输时间15 tPLH5. 2. 9Cz=15pFRz=2k0Vce=5VA4nsTamb= 25℃15t PHL.注：1）条件中“最大”或“最小”指的是5.1条规定的值。6 标志器件上的标志示例： SJ/T 10042—91认证合格标志（适用时）口CT74LS00CP型号引出端识别标志，0mA质量评定类别8916制造单位商标检验批识别代码由于器件尺寸的限制，允许将“检验批识别代码”“质量评定类别”标在器件背