SJT 10268-1991半导体集成电路CF253型低功耗运算放大器详细规范.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范半导体集成电路CF253型低功耗运算放大器Detail specification for electronic componentsSJ/T 10268--91Seniconductor integrated circuit--- CF253 type low power operational amplifier（可供认证用）本标准规定了半导体集成电路CF253型低功耗运算放大器质量评定的全部内容。本标准符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB/T12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》的要求中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。1992-01-01实施中华人民共和国机械电子工业部1991-11-12批准 SJ/T 10268---91中华人民共和国机械电子工业部IECQ评定器件质量的依据：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》SJ/T10268—91GB/T12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路)》CF253型低功耗运算放大器详细规范订货资料：见本规范第7章。机械说明：12简要说明外形依据：GB7092《半导体集成电路外双极型集成特殊运算放大器形尺寸》。半导体材料：硅外形图：按GB7092封装：空封电原理图：见本规范第11章。T型5.6.1条及5.6.2条品种：J型5.4条及5.4.1条中J08S2引出端排列：环型境-20~80℃-40~85C 55~125℃温号COMP2封(c)(E)(M)度a衣形COMPIP黑瓷直插(J)CF253CJCF253EJCF253MJQOUTN金属圆壳(T)CF253CTCF253ETCF253MT1N3质量评定类别COMPOMPI,IA,IB,ICIN.INTOUTIB参考数据：Pp=3.3mW（含偏置电阻，最大值）引出端符号名称：见本规范第11章。标志：按GB4589.1第2.5条及本规范第6章。按本规范鉴定合格的器件，其有关制造厂的资料，可在现行合格产品目录中查到2 SJ/T 10268—91极限值（绝对最大额定值）若无其它规定，适用于全工作温度范围。数值数条款号参符号单位最小最大4. 1电源电压±18VIs4. 2允许功耗Pp500mwV4.3差模输入电压Iw±30± 151)V4. 4 共模输入电压Iicc-20804. 5 Ec工作温度范围-4085TambM- 551254. 6-65150贮存温度范围tTstg注：1）电源电压为士15V时之值。5电工作条件和电特性电特性的检验要求见本规范第8章。5.1电工作条件若无其它规定，适用于全工作温度范围。数值条款号参数符号单位最小最大v5. 1. 1电源电压1±3±155. 1.20. 21. 0Mo外偏置电阻(接V+)Rs1Ce30pF5. 1. 3补偿电容5.2常温电特性Tamb = 25℃范值规单位试验条款号特性和条件符号最小典型最大1. 05. 0mVA3输入失调电压Iro5.2.1Vs=±3~±15VRgl=1MQCe=30pFI=010=0R-500A3输入失调电流50nA1o5.2.21s=±3～±15VR=1MQCc=30pFIc=0 Iio =0 Rs=20kQ3 SJ/T 10268--91续表范值规单位试验特性和条件符号条款号最小典型最大20100nAA3输入偏置电流I1tVs=±3~±15VRur=1MQCe=30pF5.2.3Vic=0 Vro=0 Rs=20k2C2aMS2RuD6输入电阻5. 2. 4Is=±3～±15V Ru=1Mα开环dBA390110开环电压增益AvDIs=±3~±15VRgr=1MQR=2kQ5. 2. 5Ce=30pF Io=±10VA3Is4080μA电源电流5. 2. 6Is=±15VRu= 1M2Is=±15v±10±13.5A3输出峰-峰电压5.2.7Rgm=1MΩCe 30pF±1. 5Is=±3VR≥2ko?dBA380100共模抑制比KcMR5.2.8Vs一±3~±15VRgr=1MQCe=30pFc=±10VA380100dBKsVR电源电压抑制比5.2.91s-±15V AFs=±2V Ru=IM2Ce=30pF注：1）运算放大器消耗的总电流为放大器电源电流和流过偏置电阻Ru中的电流之和。5.3全温电特性C:-20℃≤Tamb≤+80℃;E:-40℃≤Tamb≤+85℃;M-55C≤Tamb+125℃。值规范符号CF253E、CF253M单位试验条款号特性和条件CF253C最大最小典型最小典型最大6.05. 01. 0mV1. 0输入失调电压VioA3aIs-士15VRm=1MQ25.3.1Vo=0VVc=0VCe=30pF