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模拟电子技术智慧树知到期末考试答案章节答案2024年广州大学.docx

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模拟电子技术智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年广州大学

场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。()

答案:错

答案:对

要求能放大带宽为0.1~10MHz的信号,选用变压器耦合式多级放大电路比选用直接耦合式多级放大电路合适。()

答案:错

集成运算放大器的共模输入电阻均比差模输入电阻大得多。()

答案:错

同相比例运算电路可实现Au0的放大器。()

答案:错

PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。()

答案:对

稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。()

答案:对

答案:对

耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。()

答案:错

差动放大电路的基本功能是对差模信号的放大作用和对共模信号的抑制作用。()

答案:对

答案:对

一个NPN管和一个PNP管可以复合成NPN管也可以复合成PNP管。()

答案:对

答案:一阶低通

多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严重的一级是()。

答案:输出级

答案:RW1的滑动端右移

答案:仅C点断开

答案:

答案:RW2的滑动端上移

开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是()。

答案:调整管工作在开关状态

答案:

答案:将输入信号源脱开后,再将两点①④短路

当PN结外加正向电压时,扩散电流(A)漂移电流,耗尽层(E);当PN结外加反向电压时,扩散电流(B)漂移电流,耗尽层()。

答案:变宽

普通小功率硅二极管的正向导通压降约为(B),反向电流一般(C);普通小功率锗二极管的正向导通压降约为(A),反向电流一般()。

答案:大于

答案:电容C1

答案:二阶带通

答案:为直流量

在稳压管稳压电路中,稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流。()

答案:错

差分放大电路的输出信号电压值等于差模电压放大倍数与差模输入电压的乘积。()

答案:错

线性直流电源中的调整管工作在放大状态,开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。()

答案:对

欲使多级放大电路易于集成化,只能采用直接耦合方式。()

答案:对

功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是(2)都使输出电流大于输入电流。()

答案:错

三极管工作在饱和状态时,外部电压条件是发射结正向偏置,集电结负向偏置。()

答案:错

用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比,前者的输入电阻比后者大()

答案:错

答案:对

为了从输入信号中取出低于2kHz的信号,应选用高通滤波电路。()

答案:错

答案:对

一般情况下,反相比例运算电路的输入电阻较大,而同相比例运算电路的输入电阻较小。()

答案:错

反相比例运算电路可实现Au1的放大器。()

答案:错

本征半导体在温度升高后,自由电子和空穴数目都增加,增量相同。()

答案:对

当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时,石英晶体呈阻性;等信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈感性;其余情况下石英晶体呈容性。()

答案:对

对于理想的稳压电路,△UO/△UI=0,Ro=0。()

答案:对

只要是理想运放,其反相输入端和同相输入端就可视为虚短。()

答案:错

放大电路在低频信号作用下,放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的存在()

答案:对

多级放大电路常见的三种耦合方式为直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。()

答案:对

功率放大电路与电流放大电路的区别是在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大。()

答案:对

为了抑制频率为100kHz以上的高频干扰信号,应选用低通滤波电路。()

答案:对

答案:21

答案:

互补输出级采用共集形式是为了()。

答案:带负载能力强

某电路有用信号频率为2KHz,可选用()。

答案:带通滤波器

设某二极管在正向电流ID=10mA时。其正向压降=0.65V。在ID保持不变的条件下,当二极管的结温升高20℃,约为()。

答案:0.6V

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(C),而少数载流子的浓度与()关系十分密切。

答案:温度

直接耦合放大电路,这类电路()。

答案:必须进行电平配合

长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re的作用是()。

答案:仅对共模信号起负反馈作用

答案:

答案:不振

答案:电容三点式

答案:稳压管因电流过大而损坏

为了使集成运放工作在线性区,应()。

答案:引入深度负反馈

在带通有源滤波电路中,品质因数Q较大时,电路()。

答案:选择性较强

共模抑制比等于()之比。

答案:差模电压放大倍数与共模电压放大倍数

答案:(a)和(c)

N沟道和P沟道场效应管的区别在于()。

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