SOI绝缘体上工艺简介方法技巧.ppt

SOI器件和电路制造工艺;主要内容;集成电路设计与制造的主要流程框架;—制造业—;集成电路芯片的显微照片;集成电路的内部单元(俯视图);N沟道MOS晶体管;CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。;前工序：集成电路制造工序;图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 制膜： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射; 后工序;辅助工序;隔离技术;;LOCOS隔离工艺;沟槽隔离工艺;接触与互连;SOI挑战与机遇;1947年12月Schockley等三人发明晶体管，1956年获得诺贝尔奖;微处理器的性能;;器件尺寸缩小带来一系列问题;克服上述效应，采取的措施;SOI技术的特点;SOI技术;;SOI技术的特点;;SOI技术的特点;SOI技术的特点;载能粒子射入体硅和SOI器件的情况 ;SOI技术的特点;SOI技术的特点;漏电相同时薄膜SOI与体硅器件的亚阈值特性;SOI技术的特点;SOI器件与体硅器件的饱和漏电流之比与电源电压的关系;SOI技术的特点;SOI技术的挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;智能剥离SOI工艺流程图(SMART CUT SOI);SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI技术挑战和机遇;SOI器件与电路制备技术;SOI(Silicon-On-Insulator: （绝缘衬底上的硅)技术;SOI器件与电路制备技术;SOI器件与电路制备技术;几种新型的SOI器件和电路制备工艺;Tpd=37ps;新型SOI栅控混合管(GCHT);MILC平面双栅器件;MILC和高温退火;;;DSOI(S/D on Insulator)器件结构与制作;DSOI器件的SEM照片; ;注氦技术制备SON材料;结束语;结束语;CMOS集成电路制造工艺;;形成N阱 初始氧化 淀积氮化硅层 光刻1版，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入，注磷;;;;;形成N管源漏区 光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来 离子注入磷或砷，形成N管源漏区 形成P管源漏区 光刻，利用光刻胶将NMOS区保护起来 离子注入硼，形成P管源漏区;;;;;