文档详情

基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管.pdf

发布:2023-06-06约6.85千字共6页下载文档
文本预览下载声明
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112838131 B (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202110025615.X H01L 29/06 (2006.01) (22)申请日
显示全部
相似文档