文档详情

基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管.pdf

发布：2023-06-04约8.34千字共7页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112838129 B (45)授权公告日 2022.04.05 (21)申请号 202110025621.5 US 2015349110 A1,2015.12.03 (

显示全部

相似文档

基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112838131 B (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202110025615.X H01L 29/06 (2006.01) (22)申请日
2023-06-06 约6.85千字 6页立即下载
基于碳化硅的整流二极管.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214123866 U (45)授权公告日 2021.09.03 (21)申请号 202120081780.2 (22)申请日 2021.01.12 (73)专利权人广
2023-03-31 约5.88千字 6页立即下载
4 700V 碳化硅PiN 整流二极管 - 电工技术学报.PDF 2015 年 11 月电工技术学报 Vol.30 No. 22 第 30 卷第 22 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Nov. 2015 4 700V 碳化硅PiN 整流二极管 陈思哲盛况（浙江大学电气工程学院杭州 310027 ）
2017-06-14 约1.7万字 5页立即下载
一种基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210223589 U (45)授权公告日 2020.03.31 (21)申请号 20182
2023-08-20 约1.18万字 7页立即下载
IDT16S60 碳化硅二极管芯片资料.pdf IDT16S60C nd TM 2 Generation thinQ! SiC Schottky Diode
2018-03-03 约2.11万字 7页立即下载
CPWR-AN10 碳化硅MOS管驱动电路.pdf SiC MOSFET Isolated Gate Driver February 2011 SiC MOSFET Isolated Gate Driver Bob Call
2019-07-21 约2.8万字 3页立即下载
碳化硅结势垒肖特基二极管结构设计仿真研究.docx 碳化硅结势垒肖特基二极管结构设计仿真研究一、引言随着电力电子技术的不断发展，新型半导体材料及其器件在电力电子系统中的应用越来越广泛。碳化硅（SiC）作为一种具有优异性能的宽禁带半导体材料，其结势垒肖特基二极管（JBS-SiC二极管）在高压、高温、高频等恶劣环境下表现出良好的性能。本文将针对碳化硅结势垒肖特基二极管的结构设计进行仿真研究，分析其性能特点及优化方法。二、碳化硅结势垒肖特基二极管的基本原理与结构 碳化硅结势垒肖特基二极管是一种利用肖特基势垒原理制成的二极管。其基本结构包括P型硅（Si）和N型碳化硅（SiC）两部分，通过形成PN结来构成二极管的主体结构。在结构上，JBS-SiC二
2025-04-25 约4.47千字 9页立即下载
一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551602 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210186426.5 H01L 21/329 (2006.01) (22)申请日 2022.02
2023-05-06 约2.4万字 16页立即下载
一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112967931 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110217383.8 (22)申请日 2021.02.26 (71)申请人西安微电子技术研究所
2023-06-07 约7.78千字 8页立即下载
碳化硅晶体结构模型 .pdf 碳化硅晶体结构模型 碳化硅晶体结构模型 碳化硅（SiC）是一种新型半导体材料，它具有高温、高频、高功率等特点，在功率电子、光电子、高速电子等领域得到了广泛应用。碳化硅晶体是由硅和碳原子按一定比例构成的化合物晶体，其结构也因此具有独特的特点。 碳化硅晶体有许多种不同的晶体结构，根据它们的晶格参数和对称性可以分为多晶、单晶和多晶双晶记忆体三种类型。其中，多晶SiC是最常见的一种结构，它的晶体结构被研究得最深入，也是用于工业生产的主要材料之一。多晶SiC的晶体结构采用了类似于菱面体（diamond） 结构的立方密堆积，但是具有不同的格子参数和原子间距。它的晶体结构可以用立方单元胞表
2024-12-05 约小于1千字 2页立即下载
一种碳化硅炉炉室结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213147419 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202021235155.0 (22)申请日 2020.06.29 (73)专利权人浙江晶盛机电股份有限公司
2023-03-02 约5.59千字 7页立即下载
碳化硅MOSFET器件的二极管集成技术与性能研究.docx 碳化硅MOSFET器件的二极管集成技术与性能研究目录 碳化硅MOSFET器件的二极管集成技术与性能研究（1）．．．．．．．．．．．．3 一、内容概括．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3 1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3 1.2碳化硅材料简介．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6 1.3碳化硅MOSFET发展现状．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7 二、碳化硅MOSFET器件基础．．
2025-05-01 约3.77万字 63页立即下载
多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883392 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210421871.5 (22)申请日 2022.04.21 (71)申请人深圳芯能半导体技术
2023-05-18 约1.39万字 17页立即下载
塑封碳化硅肖特基二极管粘片工艺.doc 塑封碳化硅肖特基二极管粘片工艺　　粘片工艺是塑封碳化硅肖特基二极管封装中的关键工艺，实现了芯片背面金属与引线框架的物理连接与电连接，对器件的参数以及可靠性影响较大。我们发现器件生产中或者器件可靠性的多种失效模式都产生于粘片工艺。我们通过对焊料成分、拍锡头结构，工艺参数的优化等，使器件的品质大大提升【关键词】粘片焊料拍锡头焊料空洞率焊料热疲劳芯片背裂 1 概述芯片的背面电极与引线框架的物理连接及电连接是通过粘片工艺实现的。粘片工艺实现情况的好坏直接影响到器件的参数与可靠性，特别是对于功率器件的影响更加明显。对于TO-220、TO-263、TO-247封装的功率型塑
2017-06-06 约2.03千字 5页立即下载
碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114446784 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202210373341.8 H01L 29/66 (2006.01)
2023-05-07 约1.43万字 15页立即下载