半导体二极管的结构和特性.ppt
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1.2 半导体二极管的结构及特性;;1.2.2 二极管的伏安特性;U U（BR）;iD / mA
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一种半导体二极管安装结构.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213150724 U
(45)授权公告日 2021.05.07
(21)申请号 202022408010.2
(22)申请日 2020.10.27
(73)专利权人 苏州福摩斯电子有限公司
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半导体二极管图片 第三十一页，共50页 半导体二极管图片 第三十二页，共50页 半导体二极管图片 第三十三页，共50页 二. 二极管的模型及近似分析计算 例： I R 10V E 1kΩ D—非线性器件 i u RLC—线性器件 第三十四页，共50页 二极管的模型 D U 串联电压源模型 U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 理想二极管模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 第三十五页，共50页 第一页，共50页 1.1 半导体的基本知识 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是
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关于关于半导体二极管;分类：
按结构分为点接触型、面接触型和平面型三类。
1.点接触型二极管，通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。
2.面接触型二极管，结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。
3.平面型二极管，结面积较大时可以通过较大电流，适用于大功率整流，结面积较小时，可作为数字电路中的开关管。 ;;半导体二极管符号、特性、参数;2.二极管的伏安特性 ;
(1) 正向特性。OA段：常称“死区”，表示由于起始部分正向电压较小，正向电流??非常小，几乎为零，OA段的电压称死区电压或门槛电压UT ，其大小随管子的材料和温度的不同而改变，一般取硅管为0.5V，锗
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* §2-2 半导体二极管 学习要点： 二极管导通条件及参数 稳压二极管及其特性 半导体二极管 2-2-1 二极管伏安特性及主要参数 2-2-2 二极管的分类及命名方法 2-2-3 二极管的等效电路 2-2-4 稳压二极管 退出 2-2-1 二极管伏安特性及主要参数 1.二极管的伏安特性曲线 结构与符号 伏安特性曲线 讨论：（a）正向特性——VD的阳极接+、阴极接- Uth——“开启电压”或“死区电压
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2.2.4 PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB 势垒电容示意图 2.2.4 PN结的电容效应 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 ??????????????????? 由于PN结结电容（CB和CD）的存在，使其在高频运用时，必须考虑结电容的影响，PN结高频等产电路如图所示，图中r表示电阻，C表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于反向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于的向偏置时，r为反向电阻，其数值较大。结电容较小（主要
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1.2 半导体二极管 * 1.2 半导体二极管 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。由P区引出的电极为阳极（A） ，由N区引出的电极为阴极（ K ）。 二极管的符号： P N 阳极 阴极 一、伏安特性 U I 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。在室温附近,温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C，反向电流约增大1倍。二极管的特性对温度很敏感。 二、 二极管的主要
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第三十一页，共四十九页，2022年，8月28日 2. 基本放大电路 晶体管工作在放大状态必须： ? 发射结为正向偏置 ? 集电结为反向偏置 第三十二页，共四十九页，2022年，8月28日 共射极基本放大电路 第三十三页，共四十九页，2022年，8月28日 第三十四页，共四十九页，2022年，8月28日 共射极基本放大电路的简化及习惯画法 第三十五页，共四十九页，2022年，8月28日 关于半导体及二极管 第一页，共四十九页，2022年，8月28日 1. 半导体的导电特性 本征半导体 硅 锗 第二页，共四十九页，2022年，8月28日 两种载流子： 空穴 自由电子 第三
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+ — + — + — D1为正向偏置，vo= 0V，此时D2的阴极电位为5V，阳极为0V，处于反向偏置，故D2截止。 解： D1为正向偏置，vo= 0V， （1）当 时， vI1 二极管工作状态 导通 导通 导通 导通 截至 截至 截至 截至 vI2 vo D1 D2 0V 0V 0V 0V 0V 0V 0V 5V 5V 5V 5V 5V （2）如下表所示 输入电压只要有一个为0V，则输出为0V； 只有当输入电压均为5V时，输出才为5V。 这种关系在数字电路中称为与逻辑。 + — + — + — （5）低电压稳压电路 稳压电
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* 半导体二极管 第 1 章 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN 结 (Semiconductor Diode) 1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 +4 +4 +4 +4 硅(锗)的原子结构 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 简化 模型 +4 惯性核 硅(锗)的共价键结构 价电子 自 由 电 子 (束缚电子) 空 穴 空穴 空穴可在共 价键内移动 第 1 章 半
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第二章
半导体二极管及应用电路
2-1半导体基础知识01半导体022.1.1半导体材料03其导电能力介于导体和绝缘体之间。04半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，05导电能力改变。06
本征半导体，空穴及其导电作用一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。硅和锗的晶体结构：在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子
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《电子技术》孙淑艳sshy@n;电子技术的基本任务可称之为“信;课程介绍模拟电子技术基本;课程要求教学内容： ;1.1半导体基础知识011;1.1.1什么是半导体？1;1.1.1什么是半导体?;半导体的共价键结构硅和锗的原子;1.1.2本征半导体T=0K;本征半导体+4+4+4+4+4;本征半导体1.本征半导体中有;杂质半导体掺入杂质的本征半导体;杂质半导体P型半导体+4;杂质半导体N型半导体+4;1.1.4PN结及其单向导电;1.PN结的形成P区N区扩散运;1.PN结的形成内电场阻止多子;?V?PN结的接触电位;2.PN结的单向导电性PN结加;2.PN结的单向导电性PN结加;2.PN结的单向
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2半导体二极管及其基本电路2.1半导体的基本知识2.3半导体二极管2.4二极管基本电路及其分析方法2.5特殊二极管2.2PN结的形成及特性
2.1半导体的基本知识半导体材料半导体的共价键结构本征半导体杂质半导体
半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。01半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。02在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。03半导体的特点
半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶
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半导体的导电结构（四）P-N结（五）半导体的其他特性和.ppt
●两点说明： （1）受主能级中的空穴并不参与导电，参与导电的是：满价能带中电子跃迁到受主能级后遗留下的空穴。 （2）同样，在P型半电体中也有两种载流子，但主要是空穴载流子。 3. n型化合物半导体 例如，化合物GaAs中掺Ｔｅ（碲），六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体． 4.ｐ型化合物半导体 例如，化合物 GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体． （四） Ｐ-Ｎ结 一、Ｐ-Ｎ结的形成 如果把P型 半导体和N型 半导体相接触，那么在接触的边界区就会形成
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* 1.2 半导体二极管的特性及主要参数 一、 二极管的结构与符号 二、 二极管的伏安特性 三、 二极管的主要参数 四、 二极管电路的分析方法 第一章 半导体二极管 一、 半导体二极管的结构 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管 符号： VD 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极 引线 负极 引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 第一章 半导体二极管 二、二极管的伏安特性 O uV /V