嵌入式系统原理与应用教学课件作者魏权利第7章ARM9存储器扩展电路设计课件.ppt

1. 自动引导模式流程 ●系统复位； ●Nand Flash中的前4KB代码复制到内部的小石头区域； ●小石头区域的代码映射到nGCS0； ●处理器开始执行小石头区域中的代码。 2. Nand Flash 工作模式 ●通过NFCONF寄存器设置Nand Flash配置； ●写Nand Flash命令到NFCMD寄存器； ●写 Nand Flash地址到NFADDR寄存器。 ●读/写数据的同时，通过NFSTAT寄存器检测Nand Flash状态，确定程序操作流程。 * 7.5.3 Nand Flash控制功能寄存器S3C2410A提供了6个Nand Flash控制功能寄存器用于实现Nand Flash控制，它们的属性如表7-13所列。 * 寄存器 地址 读写属性 功能描述 初值 NFCONF 0X4E000000 读/写 配置Nand Flash，位15为1使能Nand Flash — NFCMD 0X4E000004 读/写 设置Nand Flash命令，低8位有效 — NFADDR 0X4E000008 读/写 设置Nand Flash地址，低8位有效 — NFDATA 0X4E00000C 读/写 Nand Flash数据寄存器，低8位有效 — NFSTAT 0X4E000010 只读 Nand Flash操作状态，第0位有效 — NFECC 0X4E000014 只读 Nand Flash ECC寄存器，低24位有效 — 7.6 SDRAM存储器的电路设计 同步动态随机存储器SDRAM由于集成度高，单片存储容量大，读写速度快，因此在设计嵌入式系统时常作为主存储器使用。主要作为操作系统，应用程序代码的运行区域，以提高它们的运行速度。 1. HY57V561620芯片介绍 SDRAM类型的存储器芯片很多，其中HY57V561620系列是一种容量为4M×16bit×4Bank的SDRAM芯片，折算为通用的字节容量为32MB。其内部结构如图7-16所示。 * * HY57V561620芯片引脚说明： ①DQ0~DQ15是芯片的16根数据总线引脚； ②A0~A12是地址总线引脚，A0~A8是行地址与列地址的复用线，行地址时是RA0~RA12，列地址时是CA8~CA0，即每Bank地址信号总线个数为22，寻址空间为222=4M，存储器容量为4×4M×16bit=32MB； ③BA1、BA0是块Bank地址引脚，在/RAS（Row Address Strobe）有效时，所有选中的地址块被激活，在/CAS（Column Address Strobe）有效时，对所有选中的地址块可进行读写操作； ④CLK是时钟信号引脚，SDRAM的所有输入是在CLK的上升沿有效；CKE是时钟信号使能引脚，当其无效时，SDRAM处于省电模式； /CS、/WE、/RAS、/CAS分别是片选信号、写信号、行地址选通信号、列地址选通信号； ⑤LDQM、UDQM是分别用于控制输入输出的低字节数据和高字节数据。 * HY57V561620芯片使用连接图 * 第7章 习题 7-1 简述嵌入式存储器系统层次结构及特点。 7-2 简述cache的分类与功能。 7-3 简述MMU的功能。 7-4 在MMU中什么是页？什么是页框？两者之间的关系是什么？ 7-5 S3C2410A从虚拟内存空间到物理内存的映射提供的4种划分页的方式是什么？ 7-6 简述MMU从虚拟内存地址到物理内存地址的映射方法。 7-7 S3C2410A的Bank0~Bank7都能配置哪些类型的存储器？它们各有什么特点？ 7-8 存储器控制寄存器有哪些？它们各自的功能是什么？ 7-9 使用8/16/32位存储器芯片扩展8/16/32存储器系统总线时，地址线，数据线及各控制线是如何连接的？ 7-10 简述NOR Flash与NAND Flash的区别。 7-11 简述Flash存储器在嵌入式系统中的用途。 7-12 简述S3C2410A NAND Flash控制器的基本功能。 7-13 简述Nand Flash芯片的页数据读、写过程。 7-14 简述Nand Flash的引导、工作模式。 7-15 简述SDRAM的特点、芯片的内部结构、与S3C2410A的连接方法。 * 7.2.2 主存芯片配置编程实例（续） * nGCS0的数据线宽度由S3C2410A的外部引脚OM[1:0]确定，不需要在程序中进行配置。主存储器的配置汇编程序代码如下。