一种光电子半导体器件.pdf

光电子半导体器件和装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112997330 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 201980074312.8 (74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事

2023-06-10 约1.68万字 17页立即下载

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114586183 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202080076102.5 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公

2023-05-06 约2.12万字 21页立即下载

光电材料与半导体器件.ppt 第三章均匀半导体 ;本章内容; 经典力学，包括我们所熟悉的物理量，如质量、速度、动能和势能，以及我们所熟悉的方程，如等，不能用来描述晶体中的电子。但是，如果能够使用经典力学，而不是量子力学，将是十分方便的，因为经典力学的方程很简单，而且经典力学的物理图像很清楚。在这一节里我们将看到，定义准经典力学是可能的。在准经典力学中，仍可以采用经典的物理量，只是需要将电子的真实质量换成电子的有效质量，有效质量包含了电子和晶体周期性势场的相互作用。将有效质量应用到经典力学的方程中，可以正确地预测晶体中的电子在受到来自外部的力（或外力）时的行为。先讨论最简单的情况，一维晶体中的电子。;在第1

2017-04-20 约5.08千字 41页立即下载

用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112840469 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 201880098915.7 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公

2023-06-05 约1.93万字 16页立即下载

一种功率半导体器件及电子设备.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582864 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202011379684.2 (22)申请日 2020.11.30 (71)申请人华为技术有限公司地址 51812

2023-05-10 约2.75万字 25页立即下载

半导体光电子材料.ppt 关于半导体光电子材料第1页，课件共28页，创作于2023年2月电子器件和光电子器件应用是半导体材料最重要的两大应用领域半导体材料Si，GaAs和GaN，InP等既是重要的电子材料，也是重要的光电子材料第2页，课件共28页，创作于2023年2月8.1半导体激光材料1962年，GaAs激光二极管的问世，作为半导体光电子学的开端。激光的激射波长取决于材料的带隙，且只有具有直接带隙的材料才能产生光辐射，它使注入的电子－空穴自己发生辐射复合以得到较高的电光转化效率第3页，课件共28页，创作于2023年2月产生激光的条件1.形成粒子数反转，使受激辐射占优势2.具有共振腔以实现光量子放大3.外界输入能量至少

2024-03-15 约2.25千字 28页立即下载

半导体光电子材料.ppt 关于半导体光电子材料第1页，共28页，星期日，2025年，2月5日电子器件和光电子器件应用是半导体材料最重要的两大应用领域半导体材料Si，GaAs和GaN，InP等既是重要的电子材料，也是重要的光电子材料第2页，共28页，星期日，2025年，2月5日8.1半导体激光材料1962年，GaAs激光二极管的问世，作为半导体光电子学的开端。激光的激射波长取决于材料的带隙，且只有具有直接带隙的材料才能产生光辐射，它使注入的电子－空穴自己发生辐射复合以得到较高的电光转化效率第3页，共28页，星期日，2025年，2月5日产生激光的条件1.形成粒子数反转，使受激辐射占优势2.具有共振腔以实现光量子放大3.外界

2025-05-15 约2.29千字 28页立即下载

半导体光电子器.pptx 第十一章半导体光电子器件原子核电子高能级低能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值，只能取特定的离散值(离散轨道)，这种现象称为电子能量的量子化。电子优先抢占低能级孤立原子的能级半导体的能带在大量原子相互靠近形成半导体晶体时，由于半导体晶体内部电子的共有化运动，使孤立原子中离散能级变成能带。在晶体物理中，通常把这种形成共价键的价电子所占据的能带称为价带，而把价带上面邻近的空带（自由电子占据的能带）称为导带。 N个原子构成晶体时的能级分裂N=4N=9当N很大时能级分裂成近似连续的能带 01.满带：各个能级都被电子填满的能带02.禁带：两个能带之间的区域——其宽度直接决定导电性03.空带：所有

2025-05-22 约9.26千字 10页立即下载

一种热沉和半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802812 B (45)授权公告日 2021.06.18 (21)申请号 202110351598.9 (51)Int.Cl.

2023-06-06 约1.48万字 11页立即下载

一种超结型半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213483709 U (45)授权公告日 2021.06.18 (21)申请号 202021805759.4 (22)申请日 2020.08.25 (73)专利权人上海维安半导体有限公司

2023-03-09 约1.06万字 11页立即下载

一种半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213401190 U (45)授权公告日 2021.06.08 (21)申请号 202022770473.3 (22)申请日 2020.11.25 (73)专利权人福建省晋华集成电路有限公司

2023-03-09 约1.91万字 29页立即下载

一种半导体器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551428 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210199630.0 H02M 7/00 (2006.01) (22)申请日 2022.03.0

2023-05-09 约1.42万字 14页立即下载

半导体器件的光电调节器件考核试卷 .pdf 半导体器件的光电调节器件考核试卷--第1页 半导体器件的光电调节器件考核试卷考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________ 一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的） 1.半导体材料中，哪一种材料的禁带宽度最大？ A.硅B.锗C.砷化镓D.硒化锌 2.下列哪种现象是PN结的正向偏压特性？ A.随着偏压增加，结电阻减小 B.随着偏压增加，结电阻增大 C.随着偏压增加，电流基本不变 D.随着偏压增加，电流迅速增大 3.光电探测器中，下列哪种探测器对红外光最为敏感？

2025-03-17 约8.86千字 8页立即下载

半导体器件的光电调节器件考核试卷 .docx 半导体器件的光电调节器件考核试卷一、选择题（每题5分，共25分） 1.以下哪种半导体材料最适合用于光电调节器件？ A.硅（Si） B.砷化镓（GaAs） C.硫化镉（CdS） D.硅锗（SiGe） 2.光电调节器件中的PN结主要用于以下哪个功能？ A.光电转换 B.电压放大 C.电流放大 D.信号调制 3.下列哪种结构可以实现高速光电调节？ A.PIN型光电二极管 B.PN型光电二极管 C.隧道型光电二极管 D.肖特基型光电二极管 4.关于光电调节器件的响应时间，以下哪个说法正确？ A.响应时间与光生电荷的寿命成正比 B.响应时间与光生电荷的寿命成反比 C.响应时间与载流子迁移率成正比 D.

2025-04-17 约小于1千字 4页立即下载

GB_T 15651.5-2024 半导体器件 第5-5部分：光电子器件光电耦合器.pdf ICS31.080 CCSL50 中华人民共和国国家标准 /—/: GBT15651.52024IEC60747-5-52020 半导体器件第部分: 5-5 光电子器件光电耦

2024-08-04 约10.62万字 51页立即下载