电子线路与讲义02 .ppt

输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 （1） 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） iB=f(vBE)? vCE=const 3 三极管的特性曲线 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iC=f(vCE)? iB=const （2）输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 （1） 电流放大系数 4 三极管的主要参数 (a) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const (b) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，直流放大系数和交流放大系数，可以不加区分。 (b) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO （2） 极间反向电流 ICEO (a) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 (a) 集电极最大允许电流ICM (b) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE （3） 极限参数 (c) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO （3） 极限参数 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 利用电场效应来控制电流的半导体器件。 特点：控制端基本上不需要电流，受温度等外界条件影响小，便于集成。 四 场效应管 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 （a） 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ （1） JFET的结构和工作原理 1、结型场效应管 （b）工作原理 ① UGS对沟道的控制作用 当UGS＜0时，UDS=0 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压UGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? UGS继续减小，沟道继续变窄 ② UDS对沟道的控制作用 当UGS=0时， UDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当UDS增加到使UGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时UDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ? ID基本不变 （b）工作原理 （以N沟道JFET为例） （以N沟道JFET为例） ③ UGS和UDS同时作用时 导电沟道更容易夹断， 当VP UGS0 时， 对于同样的UDS ， ID的值比UGS=0时的值要小。 在预夹断处 UGD=UGS-UDS =VP ID和UDS的关系画成曲线如右图。 （b）工作原理 * 第二章 常用半导体器件 一 半导体基本知识 二 二极管 三 三极管 四 场效应管 1 半导体的晶体结构 硅和锗的晶体结构 单晶：纯净、没有杂质，排列有序。 一 半导体基本知识 导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 2 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 空穴——共价键中的空位。 自由电子——挣脱共价键束缚而产生的电子。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的