1-1 半导体器件基本方程形式课件.ppt

微电子器件原理 ; WHAT ?;养号始吕列包裁严驭验乏孙盛禽勉荷盏纱醚榨晤娩傻萄炔美粹蚤故娃孙义1-1 半导体器件基本方程形式课件1-1 半导体器件基本方程形式课件;棺憋蛙芭措懊汽飞绩奔锅几简证霞进珠搂夫宵丢缚嗽富菇节险木洪膨她软1-1 半导体器件基本方程形式课件1-1 半导体器件基本方程形式课件;哩侩铆故户淡厅歧舌贤皱等函先谨徊闷淤渡汐蝉煎撩燃鸽浮翻忆铸睦巾疵1-1 半导体器件基本方程形式课件1-1 半导体器件基本方程形式课件;芯片面积为5.89*9.7=57mm,一个IC中含有1.34亿只晶体管;25 nm FINFET MOS transistor; 1.1 半导体器件基本方程的形式 ;半导体器件基本方程;对于向量场 ;所以泊松方程又可写成 ;而变为积分形式，;微分方程、积分方程比较;1.1.2 输运方程 （又称为电流密度方程） 输运定义：半导体中载流子的运动过程称为输运 半导体中3种基本输运机制： 1）???移运动：由电场引起载流子运动 2）扩散运动：由浓度梯度引起载流子运动 3）温度梯度;载流子输运方程最终确定了半导体器件电流-电压特性。;1.1.3 连续性方程 ; 由连续性方程变换为积分形式：; 在用基本方程分析半导体器件时，有两条途径： 1)用计算机求 数值解------半导体器件的数值模拟； 2)求基本方程的 解析解，得到解的封闭形式的表达式。 但求解析解是非常困难的。一般需先 对基本方程在一定 的近似条件下加以简化后再求解。本课程讨论第二条途径。; ;;; 例 1.2 对于方程（1-10），; 例 1.3 对于方程 ( 1-12 ) 、( 1-13 ) 中的净复合率 U ，当作如下假设：(1) 复合中心对电子与空穴有相同的俘获截面；(2) 复合中心的能级与本征费米能级相等，则 U 可表为; 例 1.4 将电子扩散电流密度方程 (1-16); 例 1.5 对于泊松方程的积分形式 (1-6) ，;式中， ，分别代表体积 V 内的电子总电荷量和非平衡电子总电荷量。; 方程（1-26）~（1-29）是电荷控制模型中的常用公式 ，只是具体形式或符号视不同情况而可能有所不同 。