半导体集成电路基本加工工艺与设计规则.pptx

第一部分 理论课 第一章 绪言 1．1 集成电路的发展 1．2 集成电路分类 1．3 集成电路设计 第二章 MOS晶体管 2．1 MOS晶体管结构 2．2 MOS晶体管工作原理 2．3 MOS晶体管的电流电压关系 2．4 MOS晶体管主要特性参数 2．5 MOS晶体管的SPICE模型 第三章 MOS管反相器 3．1 引言 3．2 NMOS管反相器 3．3 CMOS反相器 3．4 动态反相器 3．5 延迟 3．6 功耗;第四章 半导体集成电路基本加工工艺与设计规则 4.1 引言 4.2 集成电路基本加工工艺 4.3 CMOS工艺流程 4.4 设计规则 4.5 CMOS反相器的闩锁效应 4.6 版图设计 第五章 MOS管数字集成电路基本逻辑单元设计 5.1 NMOS管逻辑电路 5.2 静态CMOS逻辑电路 5.3 MOS管改进型逻辑电路 5.4 MOS管传输逻辑电路 5.5 触发器 5.6 移位寄存器 5.7 输入输出（I/O）单元;第六章 MOS管数字集成电路子系统设计 6.1 引言 6.2 加法器 6.3 乘法器 6.4 存储器 6.5 PLA 第七章 MOS管模拟集成电路设计基础 7.1 引言 7.2 MOS管模拟集成电路中的基本元器件 7.3 MOS模拟集成电路基本单元 7.4 MOS管模拟集成电路版图设计 第八章 集成电路的测试与可测性设计 8.1 引言 8.2 模拟集成电路测试 8.3 数字集成电路测试 8.4 数字集成电路的可测性测试;第二部分 实验课 1、数字集成电路 （1）不同负载反相器的仿真比较； （2）静态CMOS逻辑门电路仿真分析； （3）设计CMOS反相器版图； （4）设计D触发器及其版图； （5）设计模16的计数器及其版图（可选）。 2、模拟集成电路 设计一个MOS放大电路（可选） 。;章次;参考文献 [1] 王志功，景为平，孙玲.集成电路设计技术与工具. 南京： 东南大学出版社，2007年7月（国家级规划教材）. [2]（美）R.Jacob Baker, Harry W. Li, David E. Boyce. CMOS Circuit Design, Layout and Simulation. 北京： 机械工业出版社，2006. [3] 陈中建主译. CMOS电路设计、布局与仿真.北京：机械工 业出版社，2006. [4]（美）Wayne Wolf. Modern VLSI Design System on Silicon. 北京：科学出版社，2002. [5] 朱正涌. 半导体集成电路. 北京：清华大学出版社，2001. [6] 王志功，沈永朝.《集成电路设计基础》电子工业出版 社，2004年5月（21世纪高等学校电子信息类教材）.;4.1 引言;;;;;4.2.3 图形转换（光刻与刻蚀工艺）;（c）腐蚀;4.2.4 掺杂;;;（a）淀积一层金属铝;;;;;;4.3.2 CMOS工艺流程举例;图4.3.3 N阱工艺CMOS反相器版图;（a）N阱（N-Well）;（b）有源区（Active）;（c）多晶硅（Polisilicon）栅极;（d）N掺杂区;（e）P掺杂区;（f）接触孔（Contact）;（g）金属连线（Metal） 图4.3.4 CMOS工艺流程;4.4 设计规则 4.4.1版图设计规则的概念;4.4.2 设计规则的表示方法;2．以?为单位也叫做“规整格式” 它把大多数尺寸（间距、覆盖、露头等等）约定为?的倍数，各个最小允许尺寸当然也表示成?的整倍数。 ?与工艺线所具有的工艺分辨率有关，线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大偏差，它等于最小栅长度的一半。也就是说，如果一条工艺线的特征尺寸是X（单位为um），则2 ?=X，如对于一条 0.25 um的工艺线， 2 ?= 0.25 um 。这种表示方法的优点在于它使版图设计独立于工艺和实际尺寸，便于人们实现MOS工艺“按比例缩小”的集成电路设计原则。?的值可以随着工艺水平提高而减小，人们可以根据情况重新定义?的值。;4.5 CMOS反相器的闩锁效应（Latch-Up）;;; 这种效应是早期CMOS技术不能被接受