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Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质研究的开题报告

题目：Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质研究

一、选题背景及研究意义

Ⅳ-Ⅵ族半导体材料在光电器件、电子器件、纳米器件等领域中具有重要的应用价值。而低维结构的Ⅳ-Ⅵ族半导体材料，具有独特的光学、电学、热学等性质，被广泛应用于激光器、太阳能电池、光电探测器等领域。因此，研究Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质具有重要的科学意义和应用价值。

二、研究内容和方法

1.研究Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质，包括线性光学性质和非线性光学性质。

2.制备Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的样品，包括量子点、纳米线、薄膜等结构。

3.采用多种手段对样品进行表征，包括XRD、TEM、PL等技术。

4.实验测量样品在外界光源下的吸收spectra、荧光spectra等光学性质。

5.分析和讨论样品的光学性质及其内在机理，通过亚纳米级的光学结构和材料的光电性能相结合，研究Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构材料中的致发光机理和量子调控性质。

三、论文结构和进度安排

1.第一章绪论

1.1研究背景和意义

1.2国内外研究现状

1.3研究方法和内容

2.第二章实验材料和方法

2.1实验材料

2.2实验方法

3.第三章实验结果与分析

3.1样品的表征

3.2光学性质的测量和分析

4.第四章结论与展望

4.1对实验结果进行总结和分析

4.2未来研究方向和展望

5.参考文献

6.致谢

时间安排：

第一阶段：查阅相关文献和资料，撰写开题报告，1周

第二阶段：材料制备和表征，4周

第三阶段：实验测量和数据分析，6周

第四阶段：论文撰写和修改，3周

四、参考文献

1.Wang,X.,etal.UltrathinCdSnanotubeswithspecificfacetingandenhancedvisible-lightphotocatalyticactivity.NanoLetters,2011,11(5):2219-2225.

2.Yang,P.,etal.Chemicalfunctionalizationofsemiconductornanowires.AdvMater,2002,14(7):462-466.

3.Zhang,W.,etal.Single-crystallineNiOnanourchinsself-assembledfromnanorodsforefficientphotocatalysis.AdvFunctMater,2012,22(7):1515-1522.

4.Liu,J.,etal.In-situgaseousdecompositionsynthesisofsingle-crystallineultrathinα-NiSnanosheetsforefficientwateroxidation.AngewandteChemieInternationalEdition,2014,53(26):6782-6786.

5.Wang,X.,etal.α-Fe2O3nanoflakeswithenhancedhigh-frequencydielectricbehaviorasmicrowaveabsorbers.JournalofMaterialsChemistryC,2013,1(41):6891-6897.