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低维半导体探测器的结构特性研究.doc

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低维半导体探测器的结构特性研究

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摘要

从二十一世纪起，在纳米光电器件领域中，低维第三代半导体便因为其独特的物理性质和化学特性，展现出了极为广阔的应用前景。作为第三代半导体材料的重要组成部分，AlN由于带隙大，导热系数高和表面波速高而成为光电紫外线和深紫外线组件的首选材料。但是，目前，低维AlN纳米材料存在许多问题，包括：对纳米材料的尺寸和结构的控制不精确，有效产量低等等。这些难题一直制约着AlN紫外探测器的发展。

本论文针对这些问题，采用了SentaurusTCAD软件模拟仿真以及等离子辅助化学气相沉积技术,

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